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1. (WO2017218290) ASSEMBLAGE DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR AVEC CANAL DE REFROIDISSEMENT À TRAVERS LE MOULAGE
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N° de publication : WO/2017/218290 N° de la demande internationale : PCT/US2017/036560
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 08.06.2017
CIB :
H01L 23/367 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707-0006, US
Inventeurs : BITZ, Bradley, R.; US
LI, Xiao; US
GANDHI, Jaspreet, S.; US
Mandataire : PARKER, Paul, T.; US
WECHKIN, John, M.; US
Données relatives à la priorité :
15/181,21213.06.2016US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE ASSEMBLY WITH THROUGH-MOLD COOLING CHANNEL
(FR) ASSEMBLAGE DE DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR AVEC CANAL DE REFROIDISSEMENT À TRAVERS LE MOULAGE
Abrégé : front page image
(EN) Semiconductor device assemblies having stacked semiconductor dies and thermal transfer devices that include vapor chambers are disclosed herein. In one embodiment, a semiconductor device assembly includes a first semiconductor die having a base region, at least one second semiconductor die at the base region, and a thermal transfer device attached to the first and second dies. The thermal transfer device includes an encapsulant at least partially surrounding the second die and a via formed in the encapsulant. The encapsulant at least partially defines a cooling channel that is adjacent to a peripheral region of the first die. The via includes a working fluid and/or a solid thermal conductor that at least partially fills the channel.
(FR) L'invention concerne des assemblages de dispositif semiconducteur comprenant des puces en semiconducteur empilées et des dispositifs de transfert thermique qui comprennent des chambres à vapeur. Dans un mode de réalisation, un assemblage de dispositif semiconducteur comprend une première puce en semiconducteur ayant une région de base, au moins une deuxième puce en semiconducteur au niveau de la région de base et un dispositif de transfert thermique fixé aux première et deuxième puces. Le dispositif de transfert thermique comprend un agent d'encapsulation qui entoure au moins partiellement la deuxième puce et un trou d'interconnexion formé dans l'agent d'encapsulation. L'agent d'encapsulation définit au moins partiellement un canal de refroidissement qui est adjacent à une région périphérique de la première puce. Le trou d'interconnexion comprend un fluide de travail et/ou un conducteur thermique solide qui remplit au moins partiellement le canal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)