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1. (WO2017218190) ALLIAGES SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE BISMURE NITRURE DILUÉ

Pub. No.:    WO/2017/218190    International Application No.:    PCT/US2017/035243
Publication Date: Fri Dec 22 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jun 01 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 31/0304
H01L 31/0687
H01L 31/076
H01L 31/18
Applicants: SOLAR JUNCTION CORPORATION
Inventors: LIU, Ting
SUAREZ, Ferran
SUKIASYAN, Arsen
LANG, Jordan
Title: ALLIAGES SEMI-CONDUCTEURS À BASE DE BISMURE NITRURE DILUÉ
Abstract:
Des alliages de bismure nitrure dilué de haute efficacité et des cellules photovoltaïques multijonctions incorporant les alliages de bismure nitrure dilué de haute efficacité sont divulgués. Les sous-cellules de nitrure dilué contenant du bismuth présentent une efficacité élevée sur une large plage d'énergies d'irradiation, une densité de courant de court-circuit élevée et une tension de circuit ouvert élevée.