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1. (WO2017218075) BOITIERS DE CAPTEUR SEMI-CONDUCTEUR D'IMAGES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2017/218075 N° de la demande internationale : PCT/US2017/028534
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 20.04.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
Déposants :
SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC [US/US]; MD A700 5005 E. McDowell RD. Phoenix, Arizona 85008, US
Inventeurs :
KINSMAN, Larry; US
LIN, Yusheng; US
HSIEH, Yu-Te; TW
SKEETE, Oswald; US
WU, Weng-Jin; TW
KUO, Chi-Yao; TW
Mandataire :
TUTTLE, Robert M.; US
ANDERSON, Daniel J.; US
ENGEL, Joshua D.; US
Données relatives à la priorité :
15/168,82831.05.2016US
Titre (EN) IMAGE SENSOR SEMICONDUCTOR PACKAGES AND RELATED METHODS
(FR) BOITIERS DE CAPTEUR SEMI-CONDUCTEUR D'IMAGES ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) An image sensor semiconductor package (52) includes a printed circuit board (PCB) (56) having a first surface (58) and a second surface (60) opposite the first surface. A complementary metal- oxide semiconductor (CMOS) image sensor (CIS) die (4) has a first surface (6) with a photosensitive region (8) and a second surface (10) opposite the first surface of the CIS die. The second surface of the CIS die is coupled with the first surface of the PCB. A transparent cover (30) is coupled over the photosensitive region of the CIS die. An image signal processor (ISP) (42) is embedded within the PCB. One or more electrical couplers (26) electrically couple the CIS die with the PCB. A plurality of electrical contacts (36) on the second surface of the PCB are electrically coupled with the CIS die and with the ISP. The ISP is located between the plurality of electrical contacts of the second surface of the PCB and the CIS die.
(FR) L'invention concerne un appareil (52) qui comprend une carte de circuit imprimé comportant une première surface et une seconde surface opposée à la première surface. Une puce (4) capteur d'image (CIS) semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) (4) comporte une première surface (6) avec une région photosensible (8) et une seconde surface (10) opposée à la première surface de la puce CIS. La seconde surface de la puce CIS est couplée à la première surface de la carte de circuit imprimé. Un couvercle transparent (30) est couplé sur la région photosensible de la puce CIS. Un processeur de signal d'image (ISP) (42) est incorporé dans la carte de circuit imprimé. Un ou plusieurs coupleurs électriques couplent électriquement la puce CIS à la carte de circuit imprimé. Une pluralité de contacts électriques (36) sur la seconde surface de la carte de circuit imprimé sont électriquement couplés à la puce CIS et à l'ISP. L'ISP est située entre la pluralité de contacts électriques de la seconde surface de la carte de circuit imprimé et la puce CIS.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)