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1. (WO2017217804) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE MESURE DE CONTAMINANTS IONIQUES SUR LA SURFACE D'UNE TRANCHE
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N° de publication :    WO/2017/217804    N° de la demande internationale :    PCT/KR2017/006313
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 16.06.2017
CIB :
H01L 21/66 (2006.01), G01N 21/88 (2006.01), G01N 21/94 (2006.01)
Déposants : WITHTECH INC. [KR/KR]; 300, Techno 2-ro Yuseong-gu Daejeon 34036 (KR)
Inventeurs : LEE, Eung Sun; (KR).
YOO, Seoung Kyo; (KR)
Mandataire : PLUS INTERNATIONAL IP LAW FIRM; 10F, 809, Hanbat-daero Seo-gu Daejeon 35209 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0074991 16.06.2016 KR
Titre (EN) APPARATUS AND METHOD FOR MEASURING IONIC CONTAMINANTS ON SURFACE OF WAFER
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ DE MESURE DE CONTAMINANTS IONIQUES SUR LA SURFACE D'UNE TRANCHE
(KO) 웨이퍼 표면의 이온성 오염물 측정 장치 및 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an apparatus and a method for measuring ionic contaminants adsorbed or remaining on the surface of a wafer during a process, the apparatus comprising: a scan stage having the wafer loaded thereon in a state in which vapor phase decomposition for the wafer is not performed; a wafer scanning part for scanning and collecting, by using a scan nozzle, the ionic contaminants on the surface of the wafer when the wafer is loaded; and an analysis part for analyzing the ionic contaminants contained in a sample solution collected by the wafer scanning part, and thus the apparatus can measure ionic contaminants such as NH4+ and Cl-, which are present on the surface of a wafer during a semiconductor process.
(FR)La présente invention concerne un appareil et un procédé de mesure de contaminants ioniques adsorbés ou restant sur la surface d'une tranche pendant un processus, l'appareil comprenant : un étage de balayage sur lequel la tranche est chargée dans un état dans lequel une décomposition en phase vapeur de la tranche n'est pas effectuée ; une partie de balayage de tranche pour balayer et prélever, à l'aide d'une buse de balayage, les contaminants ioniques sur la surface de la tranche lorsque la tranche est chargée ; et une partie d'analyse pour analyser les contaminants ioniques contenus dans une solution d'échantillonnage collectée par la partie de balayage de tranche. Ainsi l'appareil peut mesurer des contaminants ioniques tels que le NH4+ et le Cl-, qui sont présents sur la surface d'une tranche pendant un processus de traitement de semi-conducteurs.
(KO)본 발명은 공정 중 웨이퍼의 표면에 흡착되거나 잔류하는 이온성 오염물을 측정하기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로, 상부에 상기 웨이퍼가 기상분해되지 않은 상태로 로딩되는 스캔 스테이지를 포함하며, 상기 웨이퍼가 로딩되면 스캔 노즐을 이용하여 상기 웨이퍼 표면의 이온성 오염물을 스캔 및 포집하는 웨이퍼 스캐닝부; 및 상기 웨이퍼 스캐닝부에 의해 포집된 샘플 용액에 포함된 이온성 오염물을 분석하는 분석부;를 포함하여 이루어져, 반도체 공정 중 웨이퍼 표면에 존재하게 되는 NH4+, Cl-과 같은 이온성 오염물질을 측정할 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)