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1. (WO2017217620) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP APTE À UNE AUTO-RÉCUPÉRATION À L'ENCONTRE DE DOMMAGES DUS AUX RAYONNEMENTS, ET SYSTÈME DE RÉCUPÉRATION DES DOMMAGES ASSOCIÉ
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N° de publication : WO/2017/217620 N° de la demande internationale : PCT/KR2016/014134
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 02.12.2016
CIB :
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 21/66 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
324
Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
40
Electrodes
41
caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
423
ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
66
Essai ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Déposants :
한국과학기술원 KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY [KR/KR]; 대전시 유성구 대학로 291(구성동) (Guseong-dong) 291, Daehak-ro, Yuseong-gu, Daejeon 34141, KR
Inventeurs :
최양규 CHOI, Yang Kyu; KR
박준영 PARK, Jun Young; KR
Mandataire :
김성호 KIM, Sung Ho; KR
Données relatives à la priorité :
10-2016-007487616.06.2016KR
Titre (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR CAPABLE OF SELF-RECOVERY AGAINST RADIATION DAMAGE AND DAMAGE RECOVERY SYSTEM THEREOF
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP APTE À UNE AUTO-RÉCUPÉRATION À L'ENCONTRE DE DOMMAGES DUS AUX RAYONNEMENTS, ET SYSTÈME DE RÉCUPÉRATION DES DOMMAGES ASSOCIÉ
(KO) 방사선 손상에 대해 자가복구가 가능한 전계효과 트랜지스터 및 그의 손상복구 시스템
Abrégé :
(EN) A damage recovery system of a field-effect transistor according to the present invention comprises: a field-effect transistor including a substrate, a source and a drain formed on the substrate, a channel formed between the source and the drain, an insulating film formed on the channel, and two gate electrodes formed on the insulating film; and a controller for recovering damage of the insulating film by applying a predetermined range of voltage to the two gate electrodes to generate joule heating. As such, because the damage recovery system can self-recover damages caused by radiation, the life of a transistor operating in a radiation environment can be remarkably extended, malfunctions can be reduced, and an operation time can be prolonged. This can lead to a reduction in the economic costs of satellite, space, defense industries, etc.
(FR) La présente invention concerne un système de récupération des dommages d'un transistor à effet de champ pourvu : d'un transistor à effet de champ comprenant un substrat, une source et un drain formés sur le substrat, un canal formé entre la source et le drain, un film isolant formé sur le canal, et deux électrodes de grille formées sur le film isolant ; et d'un dispositif de commande destiné à récupérer les dommages du film isolant en appliquant une plage de tension prédéterminée aux deux électrodes de grille de façon à générer un chauffage ohmique. En tant que tel, étant donné que le système de récupération des dommages peut récupérer de manière autonome les dommages dus aux rayonnements, la durée de vie d'un transistor fonctionnant dans un environnement de rayonnement peut être remarquablement prolongée, les dysfonctionnements peuvent être réduits et une durée de fonctionnement peut être prolongée. La présente invention peut permettre une réduction des coûts du satellite, de l'espace, des industries de la défense, etc.
(KO) 본 발명에 따른 전계효과 트랜지스터의 손상복구 시스템은 기판, 기판 상에 형성된 소스 및 드레인, 소스 및 드레인 사이에 형성된 채널, 채널에 형성된 절연막 및 절연막 상에 형성된 2개의 게이트 전극을 포함하는 전계효과 트랜지스터 및 2개의 게이트 전극에 소정 범위의 전압을 인가해 줄열(joule heat)을 발생시킴으로써 절연막의 손상을 복구시키는 컨트롤러를 포함한다. 이에 의하여, 방사선에 의한 손상을 스스로 복구할 수 있기 때문에, 방사선 환경에서 동작하는 트랜지스터의 수명을 획기적으로 연장할 뿐만 아니라, 오작동을 감소시키고, 동작시간을 연장시킬 수 있게 된다. 이는 위성산업, 우주산업, 국방산업 등에 소요되는 경제비용의 감축으로 이어질 수 있다.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)