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1. (WO2017217392) SUBSTRAT POUR CIRCUIT DOUBLE FACE ADAPTÉ À UN CIRCUIT HAUTE FRÉQUENCE
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N° de publication :    WO/2017/217392    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/021769
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 13.06.2017
CIB :
H05K 3/38 (2006.01), B32B 13/04 (2006.01), H05K 1/03 (2006.01)
Déposants : NIPPON KAYAKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000005 (JP).
DAIKIN INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; Umeda Center Building, 4-12, Nakazaki-Nishi 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308323 (JP)
Inventeurs : AKATUKA Yasumasa; (JP).
NAGASHIMA Noriyuki; (JP).
MOTEKI Shigeru; (JP).
INABA Takeshi; (JP).
KOGA Keiko; (JP)
Mandataire : KAMIMURA Yoichiro; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-119912 16.06.2016 JP
Titre (EN) DOUBLE-SIDED CIRCUIT BOARD SUITABLE FOR HIGH-FREQUENCY CIRCUIT
(FR) SUBSTRAT POUR CIRCUIT DOUBLE FACE ADAPTÉ À UN CIRCUIT HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波回路に適した両面回路用基板
Abrégé : front page image
(EN)A double-sided circuit board that is a laminate including two layers of copper foil and a composite material provided between the two layers of copper foil, the composite material comprising a glass nonwoven cloth, the front and back surfaces thereof being covered with a fluororesin, wherein the two-dimensional roughness Ra of the surfaces of the two layers of copper foil contacting the composite material is 0.2 μm or less, the existence ratio of oxygen atoms observed using ESCA on the surface of the composite material contacting the copper foil is 1.0% or more, transmission loss of an electrical signal in high-frequency usage is reduced, adhesion between the resin layer and the metal foil circuit is high, the elasticity modulus is low, and linear expansion is low.
(FR)L’invention concerne un substrat pour circuit double face qui consiste en un stratifié contenant : deux feuilles de cuivre ; et un matériau composite agencé entre les deux feuilles de cuivre, et constitué d’un non-tissé de verre dont la face endroit et la face envers sont revêtues d’une résine fluorée. Ce substrat pour circuit double face dans lequel la rugosité bidimensionnelle (Ra) des faces des deux feuilles de cuivre en contact avec le matériau composite, est inférieure ou égale à 0,2μm, et la proportion d’atomes d’oxygène observés par spectroscopie d'électrons pour analyse chimique présents sur une face du matériau composite en contact avec les feuilles de cuivre, est supérieure ou égale à 1,0%, réduit l’affaiblissement de transmission de signaux électriques dans des applications haute fréquence, et simultanément, présente, outre une adhérence élevée entre une couche de résine et un circuit de feuille métallique, un faible module d’élasticité ainsi qu’un faible coefficient de dilatation linéaire.
(JA)二枚の銅箔と、該二枚の銅箔の間に設けた表面及び裏面がフッ素樹脂で覆われたガラス不織布からなる複合材料とを含む積層体である両面回路用基板であって、二枚の銅箔の複合材料と接する面の二次元粗さRaが0.2μm以下であり、かつ複合材料の銅箔と接する面のESCAで観察される酸素原子の存在割合が1.0%以上である両面回路用基板は、高周波用途における電気信号の伝送損失を低減すると共に、樹脂層と金属箔回路との密着性が高い上、弾性率の低く、かつ線膨張率が低いものである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)