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1. (WO2017217369) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2017/217369 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/021649
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 12.06.2017
CIB :
H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 23/40 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
52
Montage des corps semi-conducteurs dans les conteneurs
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
60
Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
40
Supports ou moyens de fixation pour les dispositifs de refroidissement ou de chauffage amovibles
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : YANAGIMOTO, Tatsunori; JP
ASADA, Shinsuke; JP
TOKUBO, Koichi; JP
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; JP
NAKANO, Haruo; JP
Données relatives à la priorité :
2016-11817714.06.2016JP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体装置
Abrégé :
(EN) This power semiconductor device comprises an insulating substrate that has a conductor layer at least in the front surface, a wire bump that is provided on the conductor layer, a semiconductor element that is disposed on the wire bump, and a solder layer that bonds the semiconductor element onto the conductor layer, and/or comprises a base plate, a plurality of wire bumps that are provided on the base plate, an insulating substrate that is disposed on the wire bumps and has a conductor layer at least in the back surface, and a solder layer that bonds the conductor layer of the insulating substrate onto the base plate. This power semiconductor device has an alloy at the interface between each wire bump and the solder layer, said alloy being composed of the materials of the wire bump and the materials of the solder layer.
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur de puissance comprenant un substrat isolant qui comporte une couche conductrice au moins dans la surface avant, une bosse de fil qui est disposée sur la couche conductrice, un élément semi-conducteur qui est disposé sur la bosse de fil, et une couche de soudure qui lie l'élément semi-conducteur sur la couche conductrice, et/ou comprenant une plaque de base, une pluralité de bosses de fil qui sont disposées sur la plaque de base, un substrat isolant qui est disposé sur les bosses de fil et qui comporte une couche conductrice au moins dans la surface arrière, et une couche de soudure qui lie la couche conductrice du substrat isolant sur la plaque de base. Le dispositif semi-conducteur de puissance comporte un alliage au niveau de l'interface entre chaque bosse de fil et la couche de soudure, ledit alliage étant composé des matériaux de la bosse de fil et des matériaux de la couche de soudure.
(JA) 電力用半導体装置は、少なくとも表面に導体層を有する絶縁基板と、導体層の上に設けられたワイヤバンプと、ワイヤバンプの上に載置された半導体素子と、導体層の上に半導体素子を接合する半田層とを含み、および/またはベース板と、ベース板の上に設けられた複数のワイヤバンプと、ワイヤバンプの上に載置された、少なくとも裏面に導体層を有する絶縁基板と、ベース板の上に絶縁基板の導体層を接合する半田層とを含み、ワイヤバンプと半田層との界面に、ワイヤバンプの材料と半田層の材料からなる合金を有する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)