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1. (WO2017217335) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/217335 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/021484
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 09.06.2017
CIB :
H01L 21/301 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : ONO, Katsumi; JP
HIRANO, Kenji; JP
NEGISHI, Masato; JP
SUZUKI, Masato; JP
YOSHINO, Tatsuro; JP
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; JP
NAKANO, Haruo; JP
Données relatives à la priorité :
2016-11693513.06.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) This method for manufacturing a semiconductor device includes: a step for preparing a semiconductor substrate that includes a first semiconductor layer and a second semiconductor layer; and a step for dividing the semiconductor substrate into semiconductor chips by irradiating the semiconductor substrate with laser light from the first semiconductor layer side. The first semiconductor layer contains a semiconductor material that is transparent with respect to the laser light. The second semiconductor layer contains a semiconductor material that is opaque with respect to the laser light. The laser light having an intensity at which the semiconductor material of the first semiconductor layer changes into opaque with respect to the laser light is applied.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comprenant : une étape de préparation d'un substrat semi-conducteur qui inclut une première couche semi-conductrice et une seconde couche semi-conductrice ; ainsi qu'une étape consistant à diviser le substrat semi-conducteur en puces semi-conductrices en illuminant le substrat semi-conducteur avec de la lumière laser provenant du côté de la première couche semi-conductrice. La première couche semi-conductrice contient un matériau semi-conducteur qui est transparent par rapport à la lumière laser. La seconde couche semi-conductrice contient un matériau semi-conducteur qui est opaque par rapport à la lumière laser. La lumière laser est appliquée, celle-ci présentant une intensité à laquelle le matériau semi-conducteur de la première couche semi-conductrice devient en opaque par rapport à la lumière laser.
(JA) 半導体装置の製造方法は、第1半導体層と第2半導体層とを含む半導体基板を準備するステップと、半導体基板に第1半導体層側からレーザ光を照射することにより、半導体基板を半導体チップに個片化するステップとを含む。第1半導体層は、レーザ光に対して透明な半導体材料を含む。第2半導体層は、レーザ光に対して不透明な半導体材料を含む。レーザ光は、第1半導体層の半導体材料がレーザ光に対して不透明に変化する強度のレーザ光を照射する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)