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1. (WO2017217328) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/217328 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/021431
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 09.06.2017
CIB :
H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 23/34 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION[JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs : OKABE Yuki; JP
KAJIHARA Takanobu; JP
SUZUKI Junya; JP
MUKUDA Muneaki; JP
MIYANISHI Hiroyuki; JP
Mandataire : MURAKAMI Keigo; JP
OIWA Masuo; JP
YOSHIZAWA Kenji; JP
TAKENAKA Mineo; JP
Données relatives à la priorité :
2016-11792814.06.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) This semiconductor device is provided with: a first insulating resin section (7) formed on the mounting surface side of a lead frame (2); a second insulating resin section (8) formed on the heat dissipating surface side of the lead frame (2); and a heat sink (50) fixed to a heat dissipating surface of the second insulating resin section (8). The second insulating resin section (8) has a second skirt section (8a) formed at an end section of a thin formed section (8b), and the first insulating resin section (7) has a first skirt section (7a) covering the second skirt section (8a). An outer peripheral surface section of the second skirt section (8a) is provided with: a first end section (T1) connected to the lead frame (2) and the first skirt section (7a); a second end section (T2) connected to the heat sink (50); and at least one bent section (R1) formed between the first end section (T1) and the second end section (T2).
(FR) Ce dispositif semi-conducteur comporte : une première section de résine isolante (7) formée sur le côté de la surface de montage d'une grille de connexion (2); une seconde section de résine isolante (8) formée sur le côté de la surface de dissipation de chaleur de la grille de connexion (2); et un dissipateur thermique (50) fixé à une surface de dissipation de chaleur de la seconde section de résine isolante (8). La seconde section de résine isolante (8) a une seconde section de bordure (8a) formée au niveau d'une section d'extrémité d'une section mince formée (8b), et la première section de résine isolante (7) a une première section de bordure (7a) recouvrant la seconde section de bordure (8a). Une section de surface périphérique externe de la seconde section de bordure (8a) est pourvue : d'une première section d'extrémité (T1) connectée à la grille de connexion (2) et à la première section de bordure (7a); une seconde section d'extrémité (T2) connectée au dissipateur thermique (50); et au moins une section pliée (R1) formée entre la première section d'extrémité (T1) et la seconde section d'extrémité (T2).
(JA) リードフレーム(2)の実装面側に形成された第一絶縁樹脂部(7)と、リードフレーム(2)の放熱面側に形成された第二絶縁樹脂部(8)と、第二絶縁樹脂部(8)の放熱面に固定されたヒートシンク(50)を備え、第二絶縁樹脂部(8)は薄肉成形部(8b)の端部に形成された第二スカート部(8a)を有し、第一絶縁樹脂部(7)は第二スカート部(8a)を被覆する第一スカート部(7a)を有し、第二スカート部(8a)の外周面部は、リードフレーム(2)および第一スカート部(7a)に接続された第一端部(T1)と、ヒートシンク(50)に接続された第二端部(T2)と、第一端部(T1)と第二端部(T2)の間に形成された少なくとも一つの曲がり部(R1)を備えている。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)