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1. (WO2017217149) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :
WO/2017/217149
N° de la demande internationale :
PCT/JP2017/017871
Date de publication :
21.12.2017
Date de dépôt international :
11.05.2017
CIB :
H01L 23/29
(2006.01),
H01L 23/48
(2006.01),
H01L 25/07
(2006.01),
H01L 25/18
(2006.01)
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
48
Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H
ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
DENSO CORPORATION
[JP/JP]; 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661 (JP)
Inventeurs :
TAKAHATA Toshihiko
; (JP).
MAMITSU Kuniaki
; (JP)
Mandataire :
YOU-I PATENT FIRM
; Nagoya Nishiki City Bldg. 4F 1-6-5, Nishiki, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-118257
14.06.2016
JP
Titre
(EN)
SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR)
DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA)
半導体装置
Abrégé :
(EN)
Joining materials (23, 33) for a first heat dissipation structure (20) and a second heat dissipation structure (30) are constituted of inorganic materials, for example, glass. Thus, insulating properties from a semiconductor chip (10) and exposed surfaces can be assured even if the joining materials (23, 33) constituted of inorganic materials are used. In addition, the coefficient of linear expansion can approximate that of first heat sinks (21, 31) and second heat sinks (22, 32) more than when the joining materials are constituted of ceramics. Furthermore, even if no filler is included as when the joining materials (23, 33) are constituted of resin, heat dissipation is high. Therefore, both heat dissipating properties and insulating properties can be established without requiring soldering for thermal stress relaxation of the joining materials (23, 33), which form insulating material.
(FR)
Des matériaux d'assemblage (23, 33) pour une première structure de dissipation de chaleur (20) et une seconde structure de dissipation de chaleur (30) sont constitués de matériaux inorganiques, par exemple du verre. Ainsi, les propriétés isolantes d'une puce à semi-conducteur (10) et de surfaces exposées peuvent être assurées même si les matériaux d'assemblage (23, 33) constitués de matériaux inorganiques sont utilisés. En outre, le coefficient de dilatation linéaire peut être plus proche de celui des premiers puits de chaleur (21, 31) et des seconds puits de chaleur (22, 32) que lorsque les matériaux d'assemblage sont constitués de céramiques. D'autre part, même si aucune charge n'est incluse comme lorsque les matériaux d'assemblage (23, 33) sont constitués de résine, la dissipation de chaleur est élevée. Par conséquent, les propriétés de dissipation de chaleur et les propriétés d'isolation peuvent être établies sans nécessiter de soudage pour la relaxation de contrainte thermique des matériaux d'assemblage (23, 33), qui forment un matériau isolant.
(JA)
第1放熱構造体(20)および第2放熱構造体(30)の接合材(23、33)を無機材料、例えばガラスで構成する。このように、無機材料にて構成される接合材(23、33)を用いても、半導体チップ(10)と露出面との絶縁性を確保できる。また、セラミックスで構成する場合と比較して、線膨張係数を第1ヒートシンク(21、31)や第2ヒートシンク(22、32)に近似させることが可能となる。さらに、接合材(23、33)を樹脂で構成する場合のようにフィラーを含有させなくても高い放熱性を有している。このため、絶縁材となる接合材(23、33)の熱応力緩和のためのはんだを要しなくても、放熱性と絶縁性の両立を図ることが可能となる。
États désignés :
AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication :
japonais (
JA
)
Langue de dépôt :
japonais (
JA
)