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1. (WO2017217097) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET CAPTEUR DE DÉBIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/217097 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/015121
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 13.04.2017
CIB :
G01F 1/692 (2006.01) ,G01L 9/00 (2006.01)
Déposants : HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, LTD.[JP/JP]; 2520, Takaba, Hitachinaka-shi, Ibaraki 3128503, JP
Inventeurs : SAKUMA, Noriyuki; JP
ONOSE, Yasuo; JP
TASHIRO, Shinobu; JP
KOTABE, Akira; JP
Mandataire : TSUTSUI & ASSOCIATES; 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
2016-11851115.06.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND FLOW RATE SENSOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET CAPTEUR DE DÉBIT
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法および流量センサ
Abrégé : front page image
(EN) To provide an inexpensive and highly accurate thermal fluid-flow-rate sensor, a flow rate detection unit and pressure detection unit are provided on a semiconductor substrate, the flow rate detection unit is provided with a first diaphragm and a heating resistor, and the pressure detection unit is provided with a second diaphragm and diffused resistors that serve as a pressure detection element. Further, markers are provided on both sides of the heating resistor, and the amount of etching for the formation of the second diaphragm can be determined from the markers. As a result, the second diaphragm is formed accurately.
(FR) Afin de fournir un capteur de débit de fluide thermique économique et très précis, une unité de détection de débit et une unité de détection de pression sont disposées sur un substrat semi-conducteur, l’unité de détection de débit est pourvue d’un premier diaphragme et d’une résistance chauffante, et l’unité de détection de pression est pourvue d’un deuxième diaphragme et de résistances diffusées qui servent d’élément de détection de pression. En outre, des marqueurs sont disposés sur les deux côtés de la résistance chauffante, et la quantité de gravure pour la formation du deuxième diaphragme peut être déterminée à partir des marqueurs. En conséquence, le deuxième diaphragme est formé avec précision.
(JA) 低コストで、かつ、高精度の熱式流体流量センサを提供する。上記課題を解決するために、半導体基板上に流量検出部と圧力検出部とが設けられ、流量検出部は第1ダイヤフラムと、発熱抵抗体とを有し、圧力検出部は第2ダイヤフラムと、圧力検出素子となる拡散抵抗とを有する。そして、発熱抵抗体の両側にそれぞれマーカが設けられており、第2ダイヤフラムを形成する際のエッチング量をマーカで把握する。これにより、第2ダイヤフラムを精度よく形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)