WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017217089) CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET APPAREIL DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/217089 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/014521
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 07.04.2017
CIB :
H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD.[JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1000004, JP
Inventeurs : WATABE Takenori; JP
OHTSUKA Hiroyuki; JP
Mandataire : YOSHIMIYA Mikio; JP
KOBAYASHI Toshihiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-11697913.06.2016JP
Titre (EN) SOLAR CELL, METHOD FOR PRODUCING SOLAR CELL AND SYSTEM FOR PRODUCING SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE ET APPAREIL DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池、太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造システム
Abrégé : front page image
(EN) The present invention is a solar cell which is provided with a semiconductor substrate having a first conductivity type, and wherein: a first main surface of the substrate is provided with a first conductivity type layer having a conductivity type that is the same as the first conductivity type and a second conductivity type layer having a second conductivity type that is opposite to the first conductivity type; a first collector electrode is arranged on the first conductivity type layer on the first main surface; and a second collector electrode is arranged on the second conductivity type layer on the first main surface. This solar cell is characterized in that a second conductivity type layer having the second conductivity type is formed on a lateral surface of the semiconductor substrate so as to be continued to the second conductivity type layer on the first main surface. Consequently, the present invention provides a solar cell which is capable of efficiently collecting carriers, and which has excellent conversion efficiency.
(FR) La présente invention concerne une cellule solaire qui est pourvue d'un substrat semi-conducteur ayant un premier type de conductivité, et dans lequel: une première surface principale du substrat est pourvue d'une couche de premier type de conductivité ayant un type de conductivité qui est identique au premier type de conductivité et d'une couche de second type de conductivité ayant un second type de conductivité qui est opposé au premier type de conductivité; une première électrode collecteur est disposée sur la couche de premier type de conductivité sur la première surface principale; et une seconde électrode collecteur est disposée sur la couche de second type de conductivité sur la première surface principale. Cette cellule solaire est caractérisée en ce qu'une couche de second type de conductivité ayant le second type de conductivité est formée sur une surface latérale du substrat semi-conducteur de façon à être prolongée à la couche de second type de conductivité sur la première surface principale. En conséquent, la présente invention concerne une cellule solaire qui est capable de collecter efficacement des porteurs, et qui a une excellente efficacité de conversion.
(JA) 本発明は、第一導電型を有する半導体基板を備え、該基板の第一主表面に、前記第一導電型と同じ導電型を有する第一導電型層及び前記第一導電型と反対の第二導電型を有する第二導電型層を備え、前記第一主表面に位置する第一導電型層上に第一集電電極を備え、前記第一主表面に位置する第二導電型層上に第二集電電極を備える太陽電池であって、前記半導体基板の側面には前記第二導電型を有する第二導電型層が、前記第一主表面に位置する第二導電型層と連続して形成されていることを特徴とする太陽電池である。これにより、キャリアを効率よく収集でき、変換効率に優れた太陽電池が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)