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1. (WO2017217087) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D'ENLÈVEMENT DE SILICIUM ADDITIONNÉ DE BORE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/217087 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/014299
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 30.03.2017
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : Tokyo Electron Limited[JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
Inventeurs : SASAHARA, Reiko; JP
HUANG, Tsuhung; JP
OKUMURA, Teppei; JP
Mandataire : BECCHAKU, Shigehisa; Lusis Bldg. 2nd Floor, 16-1, Higashi Shinbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1050021, JP
Données relatives à la priorité :
2016-11795014.06.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND METHOD FOR REMOVING BORON-ADDED SILICON
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ D'ENLÈVEMENT DE SILICIUM ADDITIONNÉ DE BORE
(JA) 基板処理方法及び硼素添加珪素の除去方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a substrate processing method which is capable of suitably etching boron-added silicon. According to the present invention, a wafer W having an SiB layer 40 that is formed from SiB is exposed to a fluorine gas and an ammonia gas, and the wafer W placed on a stage 12 is heated.
(FR) L'invention concerne un procédé de traitement de substrat qui est capable de graver de manière appropriée du silicium additionné de bore. Selon la présente invention, une galette W ayant une couche de SiB (40) qui est constituée de SiB est exposée à un gaz fluor et à un gaz ammoniac, et la galette W est placée sur une platine (12) puis chauffée.
(JA) 硼素添加珪素を好適にエッチングできる基板処理方法を提供する。SiBからなるSiB層40を有するウエハWが弗素ガス及びアンモニアガスへ晒され、ステージ12によって載置されるウエハWが加熱される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)