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1. (WO2017217051) DISPOSITIF DE RAYONNEMENT DE CHAMP ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE RÉGÉNÉRATION
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N° de publication : WO/2017/217051 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/010549
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 16.03.2017
CIB :
H01J 35/06 (2006.01) ,H01J 35/16 (2006.01) ,H05G 1/00 (2006.01)
Déposants : MEIDENSHA CORPORATION[JP/JP]; 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416029, JP
Inventeurs : TAKAHASHI, Daizo; JP
TATSUMI, Toshinori; JP
HATANAKA, Michihiro; JP
Mandataire : KOBAYASHI, Hiromichi; JP
UZAWA, Hidehisa; JP
Données relatives à la priorité :
2016-11695413.06.2016JP
Titre (EN) ELECTRIC FIELD RADIATION DEVICE AND REGENERATION PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE RAYONNEMENT DE CHAMP ÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE RÉGÉNÉRATION
(JA) 電界放射装置および改質処理方法
Abrégé : front page image
(EN) In this invention, an emitter (3) and a target (7) are disposed face-to-face in a vacuum chamber (1), and a guard electrode (5) is provided on the outer peripheral side of an electron-generating portion (31) of the emitter (3). The guard electrode (5) is supported by a guard electrode support unit (6) so as to be movable in the directions of the two extremities of the vacuum chamber (1). The regeneration processing of the guard electrode (5) comprises: operating the guard electrode support unit (6) to move the guard electrode (5) toward an opening (22) (moving to a distanced position) and reach a state in which electric field radiation from the electron-generating portion (31) is suppressed; applying a voltage onto the guard electrode (5); and repeatedly performing discharging. After the regeneration processing, the guard electrode support unit (6) is operated again to move the guard electrode (5) toward an opening (21) (moving to the emitter position) and reach a state in which the electric field radiation from the electron-generating portion (31) is enabled.
(FR) Selon la présente invention, un émetteur (3) et une cible (7) sont agencés face à face dans une chambre à vide (1), et une électrode de garde (5) est disposée sur le côté périphérique externe d'une partie de génération d'électrons (31) de l'émetteur (3). L'électrode de garde (5) est soutenue par une unité de support d'électrode de garde (6) de façon à être mobile dans les directions des deux extrémités de la chambre à vide (1). Le traitement de régénération de l'électrode de garde (5) consiste : à actionner l'unité de support d'électrode de garde (6) de façon à déplacer l'électrode de garde (5) vers une ouverture (22) (mobile vers une position éloignée) et atteindre un état dans lequel un rayonnement de champ électrique provenant de la partie de génération d'électrons (31) est supprimé ; à appliquer une tension sur l'électrode de garde (5) ; et à effectuer une décharge de manière répétée. Après le traitement de régénération, l'unité de support d'électrode de garde (6) est à nouveau actionnée de façon à déplacer l'électrode de garde (5) vers une ouverture (21) (mobile vers la position de l'émetteur) et atteindre un état dans lequel le rayonnement de champ électrique provenant de la partie de génération d'électrons (31) est rendu possible.
(JA) 真空室(1)においてエミッタ(3)およびターゲット(7)を互いに対向して配置し、エミッタ(3)の電子発生部(31)の外周側には、ガード電極(5)を備える。ガード電極(5)は、ガード電極支持部(6)により、真空室(1)の両端方向に対し移動自在に支持する。ガード電極(5)の改質処理は、ガード電極支持部(6)を操作し、ガード電極(5)を開口(22)側に移動(離反位置に移動)して、電子発生部(31)の電界放射を抑制した状態にし、ガード電極(5)に電圧を印加し放電を繰り返して行う。改質処理の後は、再びガード電極支持部(6)を操作し、ガード電極(5)を開口(21)側に移動(エミッタ位置に移動)し、電子発生部(31)の電界放射が可能な状態にする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)