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1. (WO2017216997) GABARIT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN GABARIT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT AUTOPORTANT DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
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N° de publication : WO/2017/216997 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/002323
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 24.01.2017
CIB :
C30B 29/38 (2006.01) ,C23C 16/02 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C30B 25/18 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : SCIOCS COMPANY LIMITED[JP/JP]; 880, Isagozawa-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 3191418, JP
SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED[JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260, JP
Inventeurs : FUJIKURA Hajime; JP
KONNO Taichiro; JP
Mandataire : FUKUOKA Masahiro; JP
ABE Hiromi; JP
KITTAKA Hideo; JP
SHIRATORI Masahiro; JP
Données relatives à la priorité :
2016-11957616.06.2016JP
Titre (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, AND METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREESTANDING SUBSTRATE
(FR) GABARIT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN GABARIT SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SUBSTRAT AUTOPORTANT DE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE
(JA) 窒化物半導体テンプレート、窒化物半導体テンプレートの製造方法および窒化物半導体自立基板の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) The invention comprises: a substrate having a front surface and a rear surface on the opposite side from the front surface; a rear-surface-side semiconductor layer provided on the rear surface side of the substrate, said layer having a linear expansion coefficient that is different from the linear expansion coefficient of the substrate, and comprising a polycrystalline group III nitride semiconductor; and a front-surface-side semiconductor layer provided on the front surface side of the substrate, said layer having a linear expansion coefficient that is different from the linear expansion coefficient of the substrate and comprising a monocrystalline group III nitride semiconductor. The thickness of the front-surface-side semiconductor layer exceeds the critical thickness at which cracking occurs in the front-surface-side semiconductor layer when a nitride semiconductor template for when no rear-surface-side semiconductor layer is provided and only a front-surface-side semiconductor layer is provided is heated to the growth temperature of the group III nitride semiconductor.
(FR) L'invention comprend : un substrat présentant une surface avant et une surface arrière du côté opposé à la surface avant ; une couche de semi-conducteur du côté surface arrière fournie sur le côté surface arrière du substrat, ladite couche présentant un coefficient de dilatation linéaire qui est différent du coefficient de dilatation linéaire du substrat, et comprenant un semi-conducteur au nitrure du groupe III polycristallin ; et une couche de semi-conducteur du côté surface avant fournie sur le côté surface avant du substrat, ladite couche présentant un coefficient de dilatation linéaire qui est différent du coefficient de dilatation linéaire du substrat et comprenant un semi-conducteur au nitrure du groupe III monocristallin. L'épaisseur de la couche de semi-conducteur du côté surface avant est supérieure à l'épaisseur critique à laquelle la fissuration se produit dans la couche de semi-conducteur du côté surface avant lorsqu'un gabarit de semi-conducteur au nitrure, lorsqu'aucune couche de semi-conducteur du côté surface arrière n'est fournie et que seule une couche de semi-conducteur du côté surface avant est fournie, est chauffé à la température de croissance du semi-conducteur au nitrure du groupe III.
(JA) 表面と、表面と反対側の裏面とを有する基板と、基板の裏面側に設けられ、多結晶のIII族窒化物半導体からなり、基板の線膨張係数と異なる線膨張係数を有する裏面側半導体層と、基板の表面側に設けられ、単結晶のIII族窒化物半導体からなり、基板の線膨張係数と異なる線膨張係数を有する表面側半導体層と、を有し、表面側半導体層の厚さは、裏面側半導体層が設けられず表面側半導体層のみが設けられる場合の窒化物半導体テンプレートをIII族窒化物半導体の成長温度に加熱したときに表面側半導体層にクラックが生じる臨界厚さを越える厚さである。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)