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1. (WO2017216991) APPAREIL SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN APPAREIL SEMI-CONDUCTEURS, MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE CONVERSION D'ÉNERGIE

Pub. No.:    WO/2017/216991    International Application No.:    PCT/JP2017/001074
Publication Date: Fri Dec 22 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Sat Jan 14 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 23/29
H01L 21/56
H01L 23/31
H01L 29/06
H01L 29/861
H01L 29/868
Applicants: HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD.
株式会社日立パワーデバイス
Inventors: KOJIMA, Kyoko
小島 恭子
MATSUSHIMA, Hiroyuki
松島 宏行
SUZUKI, Kazuhiro
鈴木 和弘
Title: APPAREIL SEMI-CONDUCTEURS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN APPAREIL SEMI-CONDUCTEURS, MODULE SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE CONVERSION D'ÉNERGIE
Abstract:
Dans un appareil semi-conducteur qui utilise un matériau semi-conducteur à large bande interdite ayant une bande interdite plus grande que le silicium, la fiabilité de l'appareil à semi-conducteur est améliorée en réalisant une structure pour réduire une intensité de champ électrique à proximité de l'extrémité externe d'une puce à semi-conducteur. La surface latérale d'une puce à semi-conducteur CHP1a est pourvue : d'une zone R1 qui comprend un premier angle; une zone R2 qui comprend un second angle; et une zone R3 qui est prise en sandwich entre la zone R1 et la zone R2. Dans cette configuration, la relation t2 ≤ 1,5 × t1 est satisfaite, où t1 représente l'épaisseur de bande minimum d'un élément d'étanchéité à résistance de champ électrique élevé MR dans la zone R3, et t2 représente l'épaisseur maximale de la bande de l'élément d'étanchéité à haute résistance à champ électrique MR dans la zone R1.