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1. (WO2017216682) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION ET TRANSISTOR
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N° de publication : WO/2017/216682 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/053341
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 07.06.2017
CIB :
H01L 21/363 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.[JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; JP
Données relatives à la priorité :
2016-12105717.06.2016JP
2016-12109217.06.2016JP
Titre (EN) SPUTTERING DEVICE AND TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION ET TRANSISTOR
(JA) スパッタリング装置およびトランジスタ
Abrégé : front page image
(EN) Provided are a novel metal oxide and a novel transistor. A metal oxide film is formed by using a sputtering device characterized by comprising a first sputtering target, a second sputtering target, a shutter, and a substrate holder, the first sputtering target comprising a conductive material, the second sputtering target comprising an insulating material, the shutter being positioned between the substrate holder and the first sputtering target and second sputtering target, the shutter being provided with a cut-out part, and the substrate holder facing the first sputtering target or the second sputtering target via the cut-out in the shutter. In the transistor, said metal oxide film is used as a channel formation region.
(FR) L'invention concerne un nouvel oxyde métallique et un nouveau transistor. Une bande d'oxyde métallique est formé à l'aide d'un dispositif de pulvérisation caractérisé en ce qu'il comprend une première cible de pulvérisation, une seconde cible de pulvérisation, un obturateur et un support de substrat, la première cible de pulvérisation comprenant un matériau conducteur, la seconde cible de pulvérisation comprenant un matériau isolant, l'obturateur étant positionné entre le support de substrat et la première cible de pulvérisation et la seconde cible de pulvérisation, l'obturateur étant pourvu d'une partie découpée, et le support de substrat faisant face à la première cible de pulvérisation ou à la seconde cible de pulvérisation par l'intermédiaire de la découpe dans l'obturateur. Dans le transistor, ladite bande d'oxyde métallique est utilisé en tant que région de formation de canal.
(JA) 新規な金属酸化物および新規なトランジスタを提供する。 第1のスパッタリングターゲットと、 第2のスパッタリングターゲットと、 シャッタと、 基板ホルダと、 を有し、 第1のスパッタリングターゲットは、 導電性材料を含み、 第2のスパッタリングターゲットは、 絶縁性材料を含み、 シャッタは、 第1のスパッタリングターゲット及び第2のスパッタリングターゲットと、基板ホルダの間に位置し、シャッタは、切欠き部が設けられ、基板ホルダは、シャッタの切欠き部を介して、第1のスパッタリングターゲットまたは第2のスパッタリングターゲットと対向される、 ことを特徴とするスパッタリング装置を用いて金属酸化物膜を成膜する。 また、 該金属酸化物膜をチャネル形成領域として用いるトランジスタ。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)