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1. (WO2017216445) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE DIODE ELECTROLUMINESCENTE AU NITRURE DE GALLIUM
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N° de publication : WO/2017/216445 N° de la demande internationale : PCT/FR2017/051400
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 02.06.2017
CIB :
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01) ,H01L 33/16 (2010.01) ,H01L 33/46 (2010.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES[FR/FR]; Bâtiment Le Ponant D 25 Rue Leblanc 75015 PARIS, FR
Inventeurs : ROBIN, Ivan-Christophe; FR
CHARLES, Matthew; FR
DESIERES, Yohan; FR
Mandataire : CABINET BEAUMONT; 4, Place Robert Schuman B.P. 1529 38025 Grenoble Cedex 1, FR
Données relatives à la priorité :
165567817.06.2016FR
Titre (EN) METHOD FOR MAKING A GALLIUM NITRIDE LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE DIODE ELECTROLUMINESCENTE AU NITRURE DE GALLIUM
Abrégé : front page image
(EN) The invention relates to a method for making a gallium nitride light-emitting diode, comprising the following successive steps: a) forming a planar active stack (103) of gallium nitride light-emitting diodes comprising first (103a) and second (103c) layers of gallium nitride doped with opposite conductivity types and, between the first (103a) and second (103c) layers of gallium nitride, an emitting layer (103b) with one or more quantum wells; and b) growing nanowires (109) on the surface of the first layer (103a) of gallium nitride opposite the emitting layer (103b).
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente au nitrure de gallium, comprenant les étapes successives suivantes : a) former un empilement actif planaire (103) de diode électroluminescente au nitrure de gallium comportant des première (103a) et deuxième (103c) couches de nitrure de gallium dopées de types de conductivité opposés et, entre les première (103a) et deuxième (103c) couches de nitrure de gallium, une couche émissive (103b) à un ou plusieurs puits quantiques; et b) faire croitre des nanofils (109) sur la surface de la première couche (103a) de nitrure de gallium opposée à la couche émissive (103b).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)