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1. (WO2017215895) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET DE MODULES OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUE ET MODULE OPTOÉLECTRONIQUE
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N° de publication :    WO/2017/215895    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/062635
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 24.05.2017
CIB :
H01L 33/54 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Inventeurs : HERRMANN, Siegfried; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 111 059.0 16.06.2016 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTEN UND OPTOELEKTRONISCHEN MODULEN SOWIE OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT UND OPTOELEKTRONISCHES MODUL
(EN) METHOD FOR PRODUCING OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC MODULES, AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC MODULE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSANTS À SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUES ET DE MODULES OPTOÉLECTRONIQUES ET COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEURS OPTOÉLECTRONIQUE ET MODULE OPTOÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zur Herstellung mehrerer optoelektronischer Halbleiterbauelemente (12) und/oder mindestens eines optoelektronischen Moduls (15) angegeben mit folgenden Schritten: - Bereitstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (6), - Einbringen der optoelektronischen Halbleiterchips (6) mit passender Orientierung in eine lineare Zuführvorrichtung (3), - Befördern der optoelektronischen Halbleiterchips (6) zu einer Einspritzvorrichtung (4), die eine Auslassöffnung (5) aufweist, - Ummanteln der optoelektronischen Halbleiterchips (6) mit mindestens einer Mantelschicht (7) in der Einspritzvorrichtung (4) und Herauspressen der ummantelten optoelektronischen Halbleiterchips (6) aus der Auslassöffnung (5), wobei ein Verbund (8) von optoelektronischen Halbleiterchips (6) gebildet wird, in welchem die optoelektronischen Halbleiterchips (6) durch die mindestens eine Mantelschicht (7) miteinander verbunden sind, - Vereinzeln des Verbunds (8) in mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente (12), die jeweils einen optoelektronischen Halbleiterchip (6) aufweisen, der von der mindestens einen Mantelschicht (7) zumindest teilweise ummantelt ist, und/oder Vereinzeln des Verbunds (8) in mindestens ein optoelektronisches Modul (15) mit mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (6), die von der mindestens einen Mantelschicht (7) zumindest teilweise ummantelt und durch diesemiteinander verbunden sind. Ferner werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein optoelektronisches Modul angegeben.
(EN)A method for producing a plurality of optoelectronic semiconductor components (12) and/or at least one optoelectronic module (15) is specified, comprising the following steps: - providing a plurality of optoelectronic semiconductor chips (6), - introducing the optoelectronic semiconductor chips (6) with appropriate orientation into a linear feed device (3), - conveying the optoelectronic semiconductor chips (6) to an injection device (4) having an outlet opening (5), - sheathing the optoelectronic semiconductor chips (6) with at least one sheath layer (7) in the injection device (4) and pressing the sheathed optoelectronic semiconductor chips (6) out of the outlet opening (5), wherein a composite assembly (8) of optoelectronic semiconductor chips (6) is formed in which the optoelectronic semiconductor chips (6) are connected to one another by the at least one sheath layer (7), - singulating the composite assembly (8) into a plurality of optoelectronic semiconductor components (12) each comprising an optoelectronic semiconductor chip (6) sheathed at least partly by the at least one sheath layer (7), and/or singulating the composite assembly (8) into at least one optoelectronic module (15) comprising a plurality of optoelectronic semiconductor chips (6) that are at least partly sheathed by the at least one sheath layer (7) and are connected to one another by the latter. Furthermore, an optoelectronic semiconductor component and an optoelectronic module are specified.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant de produire plusieurs composants à semi-conducteurs optoélectroniques (12) et/ou au moins un module optoélectronique (15), ledit procédé comprenant les étapes suivantes : disposer d'une pluralité de puces semi-conductrices (6) optoélectroniques, introduire les puces semi-conductrices (6) optoélectroniques à orientation appropriée dans un dispositif d'amenée (3) linéaire, transporter les puces semi-conductrices (6) optoélectroniques jusqu'à un dispositif d'injection (4) qui présente une ouverture de sortie (5), enrober les puces semi-conductrices (6) optoélectroniques d'au moins une couche extérieure dans le dispositif d'injection (4) et faire sortir les puces semi-conductrices (6) optoélectroniques hors de l'ouverture de sortie (5), un ensemble (8) de puces semi-conductrices optoélectroniques (6) étant formé, ensemble dans lequel les puces semi-conductrices optoélectroniques (6) sont interconnectées par ladite au moins une couche extérieure (7), séparer l'ensemble (8) en plusieurs composants à semi-conducteurs optoélectroniques (12) qui présentent chacun une puce semi-conductrice optoélectronique (6) laquelle est enrobée au moins en partie par la au moins une couche extérieure (7) et/ou séparer l'ensemble (8) en au moins un module optoélectronique (15) doté de plusieurs puces semi-conductrices optoélectroniques (6) qui sont enrobées au moins en partie par la au moins une couche extérieure (7) et qui sont interconnectées par ladite couche extérieure. L'invention concerne également un composant à semi-conducteurs optoélectronique et un module optoélectronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)