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1. (WO2017215770) PHOTODÉTECTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COURANT PHOTOÉLECTRIQUE Á L'AIDE DU PHOTODÉTECTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/215770 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/066558
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 12.07.2016
CIB :
H01L 31/101 (2006.01) ,H01L 31/0352 (2006.01) ,H01L 29/88 (2006.01) ,G02B 6/122 (2006.01) ,G02B 5/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101
Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352
caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
86
commandés uniquement par la variation du courant électrique fourni, ou uniquement par la tension électrique appliquée, à l'une ou plusieurs des électrodes transportant le courant à redresser, amplifier, faire osciller, ou commuter
861
Diodes
88
Diodes à effet tunnel
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
6
Guides de lumière; Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage
10
du type guide d'ondes optiques
12
du genre à circuit intégré
122
Elements optiques de base, p.ex. voies de guidage de la lumière
G PHYSIQUE
02
OPTIQUE
B
ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES
5
Eléments optiques autres que les lentilles
Déposants :
LINKE, Heiner [SE/SE]; SE
LIMPERT, Steven [US/US]; US
Inventeurs :
LINKE, Heiner; SE
LIMPERT, Steven; US
Mandataire :
AWA SWEDEN AB; Box 5117 200 71 Malmö, SE
Données relatives à la priorité :
62/349,28513.06.2016US
Titre (EN) A PHOTODETECTOR AND A METHOD FOR PRODUCING A PHOTOCURRENT USING THE PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODÉTECTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN COURANT PHOTOÉLECTRIQUE Á L'AIDE DU PHOTODÉTECTEUR
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a photodetector, comprising a semiconducting optical waveguide arranged to upon illumination produce photo-generated charge carriers, such that an electrical potential difference is formed between two electrodes that are connected to the waveguide. The waveguide comprises a charge carrier separator separating first and second portions of the waveguide, the charge carrier separator is configured to pass charge carriers of a first type and to block charge carriers of a second type, the second type being different from the first type. The waveguide is arranged to upon illumination form a waveguide charge generating region within the first or within the second portion of the waveguide, wherein the charge carrier separator comprises a separator material having a bandgap larger than a first material forming the first portion of the waveguide and a bandgap larger than a second material forming the second portion of the waveguide.
(FR) La présente invention concerne un photodétecteur comprenant un guide d'ondes optique semi-conducteur disposé de manière à produire des porteurs de charge photo-générés lors de l'éclairage, de sorte qu'une différence de potentiel électrique soit formée entre deux électrodes qui sont connectées au guide d'ondes. Le guide d'ondes comprend un séparateur de porteurs de charge séparant les première et seconde parties du guide d'ondes, le séparateur de porteurs de charge est configuré pour faire passer des porteurs de charge d'un premier type et pour bloquer des porteurs de charge d'un second type, le second type étant différent du premier type. Le guide d'ondes est conçu pour former, lors de l'éclairage, une région génératrice de charge de guide d'ondes à l'intérieur de la première ou de la seconde partie du guide d'ondes, le séparateur de porteurs de charge comprenant un matériau séparateur ayant une bande interdite plus grande qu'un premier matériau formant la première portion du guide d'ondes et une bande interdite plus grande qu'un second matériau formant la seconde portion du guide d'ondes.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)