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1. (WO2017215522) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE INFRAROUGE
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N° de publication : WO/2017/215522 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/087712
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 09.06.2017
CIB :
H01L 31/0304 (2006.01) ,H01L 31/0352 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
0304
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352
caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
Déposants : XIAMEN SAN'AN OPTOELECTRONICS CO., LTD.[CN/CN]; No. 841-899, Min An Road, Hongtang Town, Tongan District Xiamen, Fujian 361100, CN
Inventeurs : HUANG, Chun Kai; CN
WU, Chun-Yi; CN
WANG, Duxiang; CN
WU, Chaoyu; CN
WANG, Jin; CN
Données relatives à la priorité :
201610403930.012.06.2016CN
Titre (EN) INFRARED LIGHT-EMITTING DIODE
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE INFRAROUGE
(ZH) 红外发光二极管
Abrégé :
(EN) Provided is an infrared light-emitting diode, comprising in order from top to bottom: a P-type ohmic electrode (108), a contact layer (106), a P-type clad layer (105), an active layer (104), an N-type clad layer (103), a buffer layer (102), a GaAs substrate (101), and an N-type ohmic electrode (107). A distinctive characteristic of the light-emitting diode is employing InxGa 1-xAs as the N-type clad layer (103) and the P-type clad layer (105), or as either one of the two; and an advantage of the light-emitting diode is that when InxGa 1-xAs is used as a clad layer, the low electrical resistance of the material thereof may effectively enhance a spreading of electric current, and may lower voltage as well as increase luminous efficiency.
(FR) L'invention concerne une diode électroluminescente infrarouge, comprenant, dans l'ordre de haut en bas : une électrode ohmique de type P (108), une couche de contact (106), une couche de revêtement de type P (105), une couche active (104), une couche de revêtement de type N (103), une couche tampon (102), un substrat de GaAs (101) et une électrode ohmique de type N (107). une caractéristique distinctive de la diode électroluminescente emploie InxGa 1-xAs en tant que la couche de revêtement de type P (105), ou en tant que l'un ou l'autre des deux; un avantage de la diode électroluminescente est que quand InxGa 1-xAs est utilisé en tant que couche de revêtement, le résistance électrique basse du matériel en cela augmente effectivement la diffusion du courant électrique, et abaisse le voltage aussi bien qu'il augmente l'efficacité de la la lumière
(ZH) 提供一种红外光发光二极管,自上而下包括P型欧姆电极(108)、接触层(106)、P型覆盖层(105)、活性层(104)、N型覆盖层(103)、缓冲层(102)、GaAs衬底(101)、N型欧姆电极(107),其特征为采用In xGa 1-xAs作为N型覆盖层(103)及P型覆盖层(105),或是两者其一,优点在于采用In xGa 1-xAs作为覆盖层时,其材料的低电阻值可有效提升电流扩散,并降低电压以及提高发光效率。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)