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1. (WO2017215154) DISPOSITIF DE DÉPÔT ET CHAMBRE DE DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
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N° de publication :    WO/2017/215154    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/101565
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 09.10.2016
CIB :
C23C 14/34 (2006.01)
Déposants : BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176 (CN)
Inventeurs : ZHANG, Jun; (CN).
DONG, Boyu; (CN).
ZHAO, Jinrong; (CN).
WU, Xuewei; (CN).
GUO, Bingliang; (CN).
XU, Baogang; (CN).
ZHANG, Henan; (CN).
WANG, Tong; (CN).
LIU, Shaohui; (CN).
WANG, Jun; (CN)
Mandataire : TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; ZHANG, Tianshu 10th Floor, Tower D, Minsheng Financial Center 28 Jianguomennei Avenue Dongcheng District, Beijing 100005 (CN)
Données relatives à la priorité :
201610407585.8 12.06.2016 CN
Titre (EN) DEPOSITION DEVICE AND PHYSICAL VAPOUR DEPOSITION CHAMBER
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT ET CHAMBRE DE DÉPÔT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR
(ZH) 沉积设备以及物理气相沉积腔室
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a deposition device (M1), comprising a first chamber (100), a second chamber (200) and a third chamber (300), wherein the first chamber (100) is configured to load a substrate (W); the second chamber (200) is configured to provide a high temperature environment so that an exhaust process and a sputtering process are carried out on the substrate (W) in the second chamber (200); the third chamber (300) is arranged between the first chamber (100) and the second chamber (200); and the third chamber (300) is configured to convey the substrate (W) directly to the second chamber (200) from the first chamber (100) via the third chamber (300). Also provided is a physical vapour deposition chamber (200), comprising a chamber body (10), a target material (T), a bearing base (20) and a heat source (21), wherein the bearing base (20) is arranged inside the chamber body (10) and is used for bearing the substrate (W); and the heat source (21) is arranged inside the chamber body (10), and the heat source (21) is configured to heat the chamber body (10) so that same is in a high temperature environment, such that the exhaust process and the sputtering process are carried out on the substrate (W).
(FR)L'invention concerne un dispositif de dépôt (M1), comprenant une première chambre (100), une deuxième chambre (200) et une troisième chambre (300), la première chambre (100) étant conçue pour charger un substrat (W) ; la deuxième chambre (200) étant conçue pour fournir un environnement à haute température de telle sorte qu'un processus d'échappement et un processus de pulvérisation sont effectués sur le substrat (W) dans la deuxième chambre (200) ; la troisième chambre (300) étant logée entre la première chambre (100) et la deuxième chambre (200) ; et la troisième chambre (300) étant conçue pour transporter le substrat (W) directement vers la deuxième chambre (200) depuis la première chambre (100) par l'intermédiaire de la troisième chambre (300). L'invention concerne également une chambre de dépôt physique en phase vapeur (200), comprenant un corps de chambre (10), un matériau cible (T), une base de support (20) et une source de chaleur (21), la base de support (20) étant disposée à l'intérieur du corps de chambre (10) et étant destinée à supporter le substrat (W) ; et la source de chaleur (21) est logée à l'intérieur du corps de chambre (10), et la source de chaleur (21) est conçue pour chauffer le corps de chambre (10) de telle sorte que ledit corps de chambre est dans un environnement à haute température, de sorte que le processus d'échappement et le processus de pulvérisation soient effectués sur le substrat (W).
(ZH)一种沉积设备(M1),包括第一腔室(100)、第二腔室(200)以及第三腔室(300);第一腔室(100)经配置用以载入基板(W);第二腔室(200)经配置用以提供高温环境,以使得基板(W)于第二腔室(200)内进行排气工艺以及溅射工艺;第三腔室(300)设置于第一腔室(100)以及第二腔室(200)之间;第三腔室(300)经配置用以将基板(W)由第一腔室(100)通过第三腔室(300)直接传输至第二腔室(200)。以及一种物理气相沉积腔室(200),包括腔室本体(10)、靶材(T)、承载底座(20)以及热源(21);承载底座(20)设置于腔室本体(10)内,用以承载基板(W);热源(21)设置于腔室本体(10)内,热源(21)经配置用以将腔室本体(10)加热至高温环境,以对基板(W)进行排气工艺以及溅射工艺。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)