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1. (WO2017215150) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE NITRURE D'ALUMINIUM DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/215150 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/100799
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 29.09.2016
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
北京北方华创微电子装备有限公司 BEIJING NAURA MICROELECTRONICS EQUIPMENT CO., LTD. [CN/CN]; 中国北京市 北京经济技术开发区文昌大道8号 No.8 Wenchang Avenue Beijing Economic-Technological Development Area Beijing 100176, CN
Inventeurs :
王军 WANG, Jun; CN
董博宇 DONG, Boyu; CN
郭冰亮 GUO, Bingliang; CN
耿玉洁 GENG, Yujie; CN
马怀超 MA, Huaichao; CN
Mandataire :
北京天昊联合知识产权代理有限公司 TEE&HOWE INTELLECTUAL PROPERTY ATTORNEYS; 中国北京市 东城区建国门内大街28号民生金融中心D座10层张天舒 ZHANG, Tianshu / 10th Floor, Tower D Minsheng Financial Center, 28 Jianguomennei Avenue, Dongcheng District Beijing 100005, CN
Données relatives à la priorité :
201610407507.812.06.2016CN
Titre (EN) FILM FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND ALUMINIUM NITRIDE FILM FORMING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM DE NITRURE D'ALUMINIUM DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 半导体设备的成膜方法以及半导体设备的氮化铝成膜方法
Abrégé :
(EN) Provided are a film forming method of a semiconductor device and an aluminium nitride film forming method of a semiconductor device. The film forming method of a semiconductor device comprises performing multiple sputtering processes in sequence. Each sputtering process comprises the steps of: loading a substrate (31) into a chamber (21) and placing the substrate (31) on a bearing base (22); moving a shutter disk (24) to a position between a target (T) and the substrate (31); introducing inert gas into the chamber (21) to perform a surface modification process on the target (T); performing pre-sputtering to pretreat the surface of the target (T); removing the shutter disk (24) from the position between the target (T) and the substrate (31), and performing primary sputtering on the substrate (31) using the target (T), so as to form a thin film on the substrate (31); and removing the substrate (31) out of the chamber (21), the surface modification process of the sputtering process performed on the Nth batch of substrates and the surface modification process of the sputtering process performed on the (N+1)th batch of substrates having different process parameters, and N being a positive integer. The film forming method of a semiconductor device and the aluminium nitride film forming method of a semiconductor device can improve the quality of formed films and increase the thickness uniformity of the formed films.
(FR) L'invention porte sur un procédé de formation de film d'un dispositif à semi-conducteur et sur un procédé de formation de film de nitrure d'aluminium d'un dispositif à semi-conducteur. Le procédé de formation de film d'un dispositif à semi-conducteur consiste à réaliser de multiples processus de pulvérisation en séquence. Chaque processus de pulvérisation comprend les étapes consistant à : charger un substrat (31) dans une chambre (21) et placer le substrat (31) sur une base de support (22) ; déplacer un disque obturateur (24) vers une position entre une cible (T) et le substrat (31) ; introduire un gaz inerte dans la chambre (21) afin d'effectuer un processus de modification de surface sur la cible (T) ; effectuer une pré-pulvérisation pour prétraiter la surface de la cible (T) ; retirer le disque obturateur (24) de la position entre la cible (T) et le substrat (31), et effectuer une pulvérisation primaire sur le substrat (31) à l'aide de la cible (T), de manière à former un film mince sur le substrat (31) ; et retirer le substrat (31) de la chambre (21), le processus de modification de surface du processus de pulvérisation effectué sur le Nième lot de substrats et le processus de modification de surface du processus de pulvérisation effectué sur le (N+1)ième lot de substrats ayant différents paramètres de traitement, et N étant un entier positif. Le procédé de formation de film d'un dispositif à semi-conducteur et le procédé de formation de film de nitrure d'aluminium d'un dispositif à semi-conducteur peuvent améliorer la qualité des films formés et augmenter l'uniformité d'épaisseur des films formés.
(ZH) 提供一种半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法。半导体设备的成膜方法包括依序进行多次溅射流程,各溅射流程包括步骤:将基板(31)载入腔室(21)内并放置于承载底座(22)上;将遮蔽盘(24)移至靶材(T)与基板(31)之间;在腔室(21)内通入惰性气体以对靶材(T)进行表面修饰工艺;进行预溅射,以对靶材(T)的表面进行预处理;将遮蔽盘(24)从靶材(T)与基板(31)之间移开,并利用靶材(T)对基板(31)进行主溅射,在基板(31)上形成薄膜;将基板(31)移出腔室(21);并且,对第N批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺与对第N+1批次基板进行的溅射流程的表面修饰工艺具有不同的工艺参数,且N为正整数。半导体设备的成膜方法及半导体设备的氮化铝成膜方法,能够改善成膜质量,提升成膜厚度均匀性。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)