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1. (WO2017215119) CIRCUIT DE LECTURE DE MÉMOIRE DE CLASSE DE STOCKAGE
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N° de publication : WO/2017/215119 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/096649
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 25.08.2016
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
13
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage non couverts par les groupes G11C11/, G11C23/ ou G11C25/197
Déposants :
SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.865 Changning Road, Changning District Shanghai 200050, CN
Inventeurs :
LEI, Yu; CN
CHEN, Houpeng; CN
LI, Xi; CN
WANG, Qian; CN
SONG, Zhitang; CN
Mandataire :
J.Z.M.C. PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE; YU Mingwei, Room 5022, No.335 Guo Ding Road, Yang Pu District Shanghai 200433, CN
Données relatives à la priorité :
201610435780.117.06.2016CN
Titre (EN) READ CIRCUIT OF STORAGE CLASS MEMORY
(FR) CIRCUIT DE LECTURE DE MÉMOIRE DE CLASSE DE STOCKAGE
Abrégé :
(EN) A read circuit of storage class memory comprises: an array; a read reference circuit, having the same bit line parasitic parameters as the array, having the same read transmission gate parasitic parameters as the array, used to generate a read reference current; a sense amplifier, providing the same current mirror parasitic parameters as the reference side, used to generate a read current from a selected memory cell, compare the said read current with the said read reference current and output a readout result. In the present invention, the said read current and the said read reference current are generated at the same time, the transient curve of the said read reference current is between the low resistance state read current and the high resistance state read current from an early stage. The present invention largely reduces the read access time, has a good process variation tolerance, has a wide application, and is easy to be used in the practical product.
(FR) Un circuit de lecture de mémoire de classe de stockage comprend : un réseau; un circuit de référence de lecture, ayant les mêmes paramètres parasites de ligne de bit que le réseau, ayant les mêmes paramètres parasites de grille de transmission de lecture que le réseau, et utilisé pour générer un courant de référence de lecture; un amplificateur de détection, fournissant les mêmes paramètres parasites de miroir de courant que le côté de référence, et utilisé pour générer un courant de lecture à partir d'une cellule de mémoire sélectionnée, comparer ledit courant de lecture avec ledit courant de référence de lecture et produire un résultat de lecture. Dans la présente invention, ledit courant de lecture et ledit courant de référence de lecture sont générés en même temps, la courbe transitoire dudit courant de référence de lecture se situe entre le courant de lecture d'état de faible résistance et le courant de lecture d'état de résistance élevée provenant d'un stade antérieur. La présente invention réduit considérablement le temps d'accès de lecture, a une bonne tolérance aux variations de processus, a une large application et est facile à utiliser dans le produit pratique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)