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1. (WO2017215109) TRANSISTOR À COUCHES MINCES D'OXYDE D'ÉLECTRODE À DOUBLE GRILLE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DUDIT TRANSISTOR

Pub. No.:    WO/2017/215109    International Application No.:    PCT/CN2016/095421
Publication Date: Fri Dec 22 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Wed Aug 17 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 29/786
H01L 21/336
Applicants: WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
武汉华星光电技术有限公司
Inventors: XIE, Yingtao
谢应涛
Title: TRANSISTOR À COUCHES MINCES D'OXYDE D'ÉLECTRODE À DOUBLE GRILLE ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DUDIT TRANSISTOR
Abstract:
La présente invention concerne un transistor à couches minces d'oxyde d'électrode à double grille et un procédé de fabrication correspondant. Le transistor à couches minces comprend : un substrat (1) ; une électrode de grille inférieure (31) formée au-dessus du substrat (1) ; une première couche d'isolation de grille (41) formée au-dessus de l'électrode de grille inférieure (31) ; une couche semi-conductrice (5) formée au-dessus de la première couche d'isolation de grille (41) ; une seconde couche d'isolation de grille (42) formée au-dessus de la couche semi-conductrice (5) ; et une électrode de grille supérieure (32) formée au-dessus de la seconde couche d'isolation de grille (42). Le transistor à couches minces d'oxyde d'électrode à double grille comprend en outre une ligne de données (2), la ligne de données (2) et l'électrode de grille inférieure (31) ou de grille supérieure (32) se trouvant sur la même couche métallique. Dans le procédé de préparation d'un transistor à couches minces, une même couche métallique est partagée par une ligne de données et une électrode de grille inférieure (ou de grille supérieure), et un traitement de formation de motifs est réalisé au moyen d'un exemple de photolithographie, ce qui permet de réduire la quantité d'utilisation de masques photographiques ainsi que les coûts de production. En outre, étant donné que le transistor à couches minces ainsi fabriqué présente une structure d'électrode à double grille, la stabilité du transistor à couches minces peut être renforcée et la vitesse de réponse de ce dernier peut être améliorée.