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1. (WO2017215065) SUBSTRAT DE MATRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN SUBSTRAT DE MATRICE, ET PANNEAU LCD
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N° de publication : WO/2017/215065 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/089999
Date de publication : 21.12.2017 Date de dépôt international : 14.07.2016
CIB :
G02F 1/1362 (2006.01)
Déposants : WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; Building C5, No. 666 Gaoxin Avenue Wuhan East Lake High-Tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs : QIN, Fang; CN
Mandataire : GUANGZHOU SCIHEAD PATENT AGENT CO., LTD.; Room 1508, Huihua Commercial & Trade Building No. 80 Xianlie Zhong Road, Yuexiu District Guangzhou, Guangdong 510070, CN
Données relatives à la priorité :
201610431928.417.06.2016CN
Titre (EN) ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR ARRAY SUBSTRATE, AND LCD PANEL
(FR) SUBSTRAT DE MATRICE, PROCÉDÉ DE FABRICATION POUR UN SUBSTRAT DE MATRICE, ET PANNEAU LCD
(ZH) 阵列基板、阵列基板的制备方法及液晶显示面板
Abrégé : front page image
(EN) An array substrate (10), a manufacturing method for the array substrate (10), and an LCD panel (1). The array substrate (10) comprises a substrate (100); a channel layer (110) disposed close to a surface of the substrate (100); a first insulation layer (120) covering the channel layer (110); a gate electrode (130) arranged on the first insulation layer (120); a second insulation layer (140) covering the gate electrode (130) and formed with a first through hole (141) and a second through hole (142); a source electrode (150a) arranged on the second insulation layer (140) and electrically connected to the channel layer (110) by means of the first through hole (141); a drain electrode (150b) arranged on the second insulation layer (140), arranged at an interval from the drain electrode (150b) and electrically connected to the channel layer (110) by means of the second through hole (142); a planar layer (160) covering the source electrode (150a) and the drain electrode (150b) and formed with a third through hole (161); a common electrode (170) arranged on the planar layer (160); a passivation layer (180) covering the common electrode (170), the passivation layer (180) comprising HfO2 and the passivation layer (180) being formed with a fourth through hole (181) which is in communication with the third through hole (161); a pixel electrode (190) arranged on the passivation layer (180) and electrically connected to the drain electrode (150b) by means of the third through hole (161) and the fourth through hole (181), and the pixel electrode (190) being arranged corresponding to the common electrode (170); the pixel electrode (190), the passivation layer (180) and the common electrode (170) forming a storage capacitor.
(FR) La présente invention concerne un substrat de matrice (10), un procédé de fabrication pour le substrat de matrice (10), et un panneau LCD (1). Le substrat de matrice (10) comprend : un substrat (100) ; une couche de canal (110) située à proximité d'une surface du substrat (100) ; une première couche d'isolation (120) recouvrant la couche de canal (110) ; une électrode grille (130) placée sur la première couche d'isolation (120) ; une seconde couche d'isolation (140) recouvrant l'électrode grille (130) et pourvue d'un premier trou débouchant (141) et d'un deuxième trou débouchant (142) ; une électrode source (150a) disposée sur la seconde couche d'isolation (140) et connectée électriquement à la couche de canal (110) au moyen du premier trou débouchant (141) ; une électrode déversoir (150b) qui est placée sur ladite seconde couche d'isolation (140), disposée à un certain intervalle par rapport à l'électrode déversoir (150b), et qui est connectée électriquement à la couche de canal (110) au moyen du deuxième trou débouchant (142) ; une couche plane (160) recouvrant l'électrode source (150a) et cette électrode déversoir (150b) et pourvue d'un troisième trou débouchant (161) ; une électrode commune (170) placée sur la couche plane (160) ; une couche de passivation (180) recouvrant l'électrode commune (170), la couche de passivation (180) comprenant du HfO2 et ladite couche de passivation (180) étant pourvue d'un quatrième trou débouchant (181) qui est en communication avec le troisième trou débouchant (161) ; une électrode de pixel (190) disposée sur la couche de passivation (180) et connectée électriquement à l'électrode déversoir (150b) au moyen du troisième trou débouchant (161) et du quatrième trou débouchant (181), et l'électrode de pixel (190) étant placée de manière à correspondre à l'électrode commune (170) ; l'électrode de pixel (190), la couche de passivation (180) et l'électrode commune (170) formant un condensateur de stockage.
(ZH) 一种阵列基板(10)、阵列基板(10)的制备方法及液晶显示面板(1)。阵列基板(10)包括:基板(100);沟道层(110),邻近基板(100)的表面设置;第一绝缘层(120),覆盖沟道层(110);栅极(130),设置在第一绝缘层(120)上;第二绝缘层(140),覆盖栅极(130),开设有第一贯孔(141)、第二贯孔(142);源极(150a),设置在第二绝缘层(140)上且通过第一贯孔(141)与沟道层(110)电连接;漏极(150b),设置在第二绝缘层(140)上,与漏极(150b)间隔设置且通过第二贯孔(142)与沟道层(110)电连接;平坦层(160),覆盖源极(150a)及漏极(150b),开设第三贯孔(161);公共电极(170),设置在平坦层(160)上;钝化层(180),覆盖公共电极(170),钝化层(180)包括HfO2,钝化层(180)开设有与第三贯孔(161)连通的第四贯孔(181);像素电极(190),设置在钝化层(180)上,通过第三贯孔(161)、第四贯孔(181)与漏极(150b)电连接,且像素电极(190)对应公共电极(170)设置,像素电极(190)、钝化层(180)及公共电极(170)构成存储电容。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)