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1. (WO2017215025) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/215025    International Application No.:    PCT/CN2016/087284
Publication Date: Fri Dec 22 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Tue Jun 28 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/02
H01L 27/06
Applicants: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES
中国科学院微电子研究所
Inventors: ZHU, Huilong
朱慧珑
Title: DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abstract:
L'invention se rapporte à un dispositif à semi-conducteur et à son procédé de fabrication. Le procédé consiste à : former une structure d'ailette sur un substrat (1001) ; former une couche de support sur le substrat (1001) sur lequel est formée la structure d'ailette, et former des motifs sur la couche de support en tant que parties de support (1015/1017) qui s'étendent d'une surface du substrat (1001) à une surface de la structure d'ailette de manière à connecter physiquement la structure d'ailette et le substrat (1001) ; retirer une partie de la structure d'ailette près du substrat (1001) pour former une première couche semi-conductrice (1005) séparée du substrat (1001) ; faire croître une seconde couche semi-conductrice (1025) en utilisant la première couche semi-conductrice (1005) en tant que couche germe ; dans au moins une partie d'une plage d'extension longitudinale, retirer la première couche semi-conductrice (1005), et couper la seconde couche semi-conductrice (1025) sur un côté de la première couche semi-conductrice (1005) à l'opposé du substrat (1001) et sur un côté proche du substrat (1001), la seconde couche semi-conductrice (1025) découpée servant d'ailette du dispositif à semi-conducteur.