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1. (WO2017214302) CIRCUITS POUR DÉTERMINER LES ÉTATS RÉSISTIFS D'ÉLÉMENTS DE CHANGEMENT RÉSISTIFS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/214302    N° de la demande internationale :    PCT/US2017/036400
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 07.06.2017
CIB :
G01R 27/02 (2006.01), G01R 27/08 (2006.01), G01R 27/14 (2006.01), G01R 27/16 (2006.01)
Déposants : NANTERO, INC. [US/US]; 25 Olympia Avenue Suite B Woburn, MA 01801 (US)
Inventeurs : HARVARD, Qawi; (US)
Mandataire : SQUIRES, Brett; (US)
Données relatives à la priorité :
15/175,234 07.06.2016 US
15/175,346 07.06.2016 US
15/175,201 07.06.2016 US
Titre (EN) CIRCUITS FOR DETERMINING THE RESISTIVE STATES OF RESISTIVE CHANGE ELEMENTS
(FR) CIRCUITS POUR DÉTERMINER LES ÉTATS RÉSISTIFS D'ÉLÉMENTS DE CHANGEMENT RÉSISTIFS
Abrégé : front page image
(EN)Devices and methods for determining resistive states of resistive change elements in resistive change element arrays are disclosed. According to some aspects of the present disclosure the devices and methods for determining resistive states of resistive change elements can determine resistive states of resistive change elements by sensing current flow. According to some aspects of the present disclosure the devices and methods for determining resistive states of resistive change elements can determine resistive states of resistive change elements without the need for in situ selection devices or other current controlling devices. According to some aspects of the present disclosure the devices and methods for determining resistive states of resistive change elements can reduce the impact of sneak current when determining resistive states of resistive change elements.
(FR)L'invention concerne des dispositifs et des procédés pour déterminer des états résistifs d'éléments de changement résistifs dans des réseaux d'éléments de changement résistifs. Selon certains aspects de la présente invention, les dispositifs et les procédés pour déterminer des états résistifs d'éléments de changement résistifs peuvent déterminer des états résistifs d'éléments de changement résistifs par détection du flux de courant. Selon certains aspects de la présente invention, les dispositifs et les procédés pour déterminer des états résistifs d'éléments de changement résistifs peuvent déterminer des états résistifs d'éléments de changement résistifs sans avoir besoin de dispositifs de sélection in situ ou d'autres dispositifs de commande de courant. Selon certains aspects de la présente invention, les dispositifs et les procédés pour déterminer des états résistifs d'éléments de changement résistifs peuvent réduire l'impact d'un courant de fuite lors de la détermination d'états résistifs d'éléments de changement résistifs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)