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1. (WO2017213720) STRUCTURES DE TROUS D'INTERCONNEXION TRAVERSANT DES NIVEAUX DE MÉMOIRE ENTRE DES RÉGIONS EN CAGE D'ESCALIER DANS UN DISPOSITIF TRIDIMENSIONNEL DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ POUR LEUR FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/213720    International Application No.:    PCT/US2017/018714
Publication Date: Fri Dec 15 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Wed Feb 22 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 27/1158
H01L 29/66
H01L 29/792
H01L 27/1157
H01L 27/11575
H01L 27/11573
H01L 27/11582
Applicants: SANDISK TECHNOLOGIES LLC
Inventors: LU, Zhenyu
YU, Jixin
ALSMEIER, Johann
TOYAMA, Fumiaki
MIZUTANI, Yuki
OGAWA, Hiroyuki
GE, Chun
MAO, Daxin
ZHANG, Yanli
CHU, Alexander
LI, Yan
Title: STRUCTURES DE TROUS D'INTERCONNEXION TRAVERSANT DES NIVEAUX DE MÉMOIRE ENTRE DES RÉGIONS EN CAGE D'ESCALIER DANS UN DISPOSITIF TRIDIMENSIONNEL DE MÉMOIRE ET PROCÉDÉ POUR LEUR FABRICATION
Abstract:
L'invention a pour objet de former des structures d'interconnexion métallique de niveau inférieur par-dessus un substrat surmonté de dispositifs à semi-conducteurs. Une couche de matériau semi-conducteur et un empilement alterné de couches diélectriques intercalaires et de couches isolantes sont formés par-dessus les structures d'interconnexion métallique de niveau inférieur. Un réseau de structures d'empilement de mémoire est formé à travers l'empilement alterné. Des tranchées sont formées à travers l'empilement alterné de telle façon qu'une région en cage d'escalier soit éloignée des tranchées de plus d'une distance latérale seuil, tandis que des régions en cage d'escalier voisines sont formées en-deçà de la distance latérale seuil par rapport aux tranchées. Des parties des couches diélectriques intercalaires proximales aux tranchées sont remplacées par des couches électriquement conductrices, tandis qu'une partie restante de l'empilement alterné est présente dans la région en cage d'escalier. Au moins une structure de trou d'interconnexion traversant des niveaux de mémoire peut être formée à travers les parties restantes des couches diélectriques intercalaires et des couches isolantes pour constituer verticalement un chemin conducteur à travers un assemblage de niveaux de mémoire.