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1. (WO2017213717) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS POUR RÉDUIRE LES PERTURBATIONS DE PROGRAMME DANS DES RÉSEAUX DE CELLULES DE MÉMOIRE NON VOLATILE
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N° de publication : WO/2017/213717 N° de la demande internationale : PCT/US2017/017452
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 10.02.2017
CIB :
G11C 16/24 (2006.01) ,G11C 16/02 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 11/40 (2006.01) ,G11C 11/407 (2006.01) ,G11C 11/4094 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
24
Circuits de commande de lignes de bits
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
21
utilisant des éléments électriques
34
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
40
utilisant des transistors
401
formant des cellules nécessitant un rafraîchissement ou une régénération de la charge, c. à d. cellules dynamiques
4063
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture ou la synchronisation
407
pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
409
Circuits de lecture-écriture (R-W)
4094
Circuits de commande ou de gestion de lignes de bits
Déposants :
CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION [US/US]; 198 Champion Court San Jose, CA 95134, US
Inventeurs :
GIVANT, Amichai; IL
Données relatives à la priorité :
15/279,19428.09.2016US
62/348,57910.06.2016US
Titre (EN) METHODS AND DEVICES FOR REDUCING PROGRAM DISTURB IN NON-VOLATILE MEMORY CELL ARRAYS
(FR) PROCÉDÉS ET DISPOSITIFS POUR RÉDUIRE LES PERTURBATIONS DE PROGRAMME DANS DES RÉSEAUX DE CELLULES DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé :
(EN) Disclosed is a memory device including: (a) a target memory cell having a first select gate, a target memory gate and a first source line wherein during a program operation the first select gate, target memory gate and first source line are at program state levels and (b) a neighbor memory cell having a second select gate, the first source line and a neighbor memory gate which is unconnected to the target memory gate. During a program operation the neighbor select gate is at a low state to inhibit program disturb on the neighbor cell and the neighbor memory gate is at a low state.
(FR) L'invention concerne un dispositif de mémoire comprenant : (a) une cellule de mémoire cible ayant une première grille de sélection, une grille de mémoire cible et une première ligne de source dans laquelle pendant une opération de programme, la première grille de sélection, la grille de mémoire cible et la première ligne de source sont à des niveaux d'état de programme et (b) une cellule de mémoire voisine ayant une seconde grille de sélection, la première ligne de source et une grille de mémoire voisine qui n'est pas connectée à la grille de mémoire cible. Pendant une opération de programme, la grille de sélection voisine est à un état bas pour empêcher une perturbation de programme sur la cellule voisine et la grille de mémoire voisine est à un état bas.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)