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1. (WO2017213650) DISPOSITIFS Á POINTS QUANTIQUES Á SUBSTRATS EN TRANCHÉES
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N° de publication :    WO/2017/213650    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/036580
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 09.06.2016
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/80 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054-1549 (US)
Inventeurs : PILLARISETTY, Ravi; (US).
LE, Van H.; (US).
ROBERTS, Jeanette M.; (US).
MICHALAK, David J.; (US).
CLARKE, James S.; (US).
YOSCOVITS, Zachary R.; (US)
Mandataire : ZAGER, Laura A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) QUANTUM DOT DEVICES WITH TRENCHED SUBSTRATES
(FR) DISPOSITIFS Á POINTS QUANTIQUES Á SUBSTRATS EN TRANCHÉES
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed herein are quantum dot devices with trenched substrates, as well as related computing devices and methods. For example, in some embodiments, a quantum dot device may include: a substrate having a trench disposed therein, wherein a bottom of the trench is provided by a first material, and a quantum well stack at least partially disposed in the trench. A material of the quantum well stack may be in contact with the bottom of the trench, and the material of the quantum well stack may be different from the first material.
(FR)L'invention concerne des dispositifs à boîtes quantiques comprenant des portes formant des motifs, ainsi que des dispositifs et procédés de calcul associés. Par exemple, dans certains modes de réalisation, un dispositif à points quantiques peut comprendre : un substrat dans lequel est disposée une tranchée, un fond de la tranchée étant formé par un premier matériau, et un empilement de puits quantiques disposé au moins partiellement dans la tranchée. Un matériau de l'empilement de puits quantiques peut être en contact avec le fond de la tranchée, et le matériau de l'empilement de puits quantiques peut être différent du premier matériau.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)