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1. (WO2017213622) GRILLE INTÉGRÉE DE SCINTILLATEUR À PHOTODIODES
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N° de publication :    WO/2017/213622    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/036054
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 06.06.2016
CIB :
G01T 1/24 (2006.01), G01N 23/00 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : TERAPEDE SYSTEMS INC. [US/US]; 2105 S Bascom Ave Ste 170 Campbell, CA 95008 (US)
Inventeurs : VORA, Madhukar, B.; (US).
RODRICKS, Brian; (US)
Mandataire : STEVENS, David, R.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) INTEGRATED SCINTILLATOR GRID WITH PHOTODIODES
(FR) GRILLE INTÉGRÉE DE SCINTILLATEUR À PHOTODIODES
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments of a structure implemented in an X-ray imaging system are described. In one aspect, a structure implemented in an X-ray imaging system includes a silicon wafer including a first side and a second side opposite the first side. The silicon wafer also includes an array of photodiodes on the first side of the silicon wafer with the photodiodes electrically isolated from each other as well as an array of grid holes on the second side of the silicon wafer. Each grid hole of the array of grid holes is aligned with a respective photodiode of the array of photodiodes. The structure also includes a layer of scintillating material disposed over the array of grid holes on the second side of the silicon wafer. The structure further includes a layer of reflective material disposed on the layer of scintillating material.
(FR)Les divers modes de réalisation, selon la présente invention, concernent une structure mise en œuvre dans un système d'imagerie par rayons X. Selon un aspect de la présente invention, une structure mise en œuvre dans un système d'imagerie par rayons X comporte une tranche de silicium comprenant un premier côté et un deuxième côté, opposé au premier côté. La tranche de silicium comprend également un réseau de photodiodes sur le premier côté de la tranche de silicium, les photodiodes étant électriquement isolées les unes des autres ainsi qu'un réseau de trous de grille sur le deuxième côté de la tranche de silicium. Chaque trou de grille du réseau de trous de grille est aligné avec une photodiode respective du réseau de photodiodes. La structure comprend également une couche de matériau scintillant disposée sur le réseau de trous de grille sur le deuxième côté de la tranche de silicium. La structure comprend en outre une couche de matériau réfléchissant disposée sur la couche de matériau scintillant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)