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1. (WO2017213403) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE HAUT-RENDEMENT AU NITRURE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION

Pub. No.:    WO/2017/213403    International Application No.:    PCT/KR2017/005880
Publication Date: Fri Dec 15 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Thu Jun 08 01:59:59 CEST 2017
IPC: H01L 33/02
H01L 33/00
H01L 33/40
H01L 33/36
H01L 33/38
H01L 33/14
Applicants: INDUSTRIAL COOPERATION FOUNDATION CHONBUK NATIONAL UNIVERSITY
전북대학교산학협력단
Inventors: KIM, Hyun Soo
김현수
OH, Mun Sik
오문식
Title: DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE HAUT-RENDEMENT AU NITRURE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
Abstract:
La présente invention concerne une diode électroluminescente à haut rendement à base de nitrure de gallium et son procédé de fabrication, la diode électroluminescente à haut rendement à base de nitrure de gallium comprenant: un substrat; une couche semi-conductrice de premier type de conduction à base de nitrure de gallium; une couche semi-conductrice de second type de conduction à base de nitrure de gallium; une couche active interposée entre la couche semi-conductrice du premier type conducteur et la couche semi-conductrice du second type conducteur; et une électrode transparente en contact avec la couche semi-conductrice du second type conducteur, l'électrode transparente comprenant une première couche électrode déposée par un évaporateur à faisceau d'électrode, et une seconde couche électrode déposée par pulvérisation. La diode électroluminescente à haut rendement à base de nitrure de gallium de la présente invention peut présenter une transmittance de lumière élevée et une faible résistance de feuille.