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1. (WO2017213403) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE HAUT-RENDEMENT AU NITRURE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
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N° de publication :    WO/2017/213403    N° de la demande internationale :    PCT/KR2017/005880
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 07.06.2017
CIB :
H01L 33/02 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01)
Déposants : INDUSTRIAL COOPERATION FOUNDATION CHONBUK NATIONAL UNIVERSITY [KR/KR]; 567, Baekje-daero, Deokjin-gu Jeonju-si Jeollabuk-do 54896 (KR)
Inventeurs : KIM, Hyun Soo; (KR).
OH, Mun Sik; (KR)
Mandataire : DAHAI INTERNATIONAL PATENT & LAW FIRM; (Samseong-dong, Apple Tree Tower) 15th Floor, 443, Teheran-ro Gangnam-gu Seoul 06158 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0070408 07.06.2016 KR
10-2016-0159310 28.11.2016 KR
Titre (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED HIGH-EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE HAUT-RENDEMENT AU NITRURE DE GALLIUM ET PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(KO) 질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a gallium nitride-based high efficiency light emitting diode and a manufacturing method therefor, the gallium nitride-based high-efficiency light emitting diode comprising: a substrate; a gallium nitride-based, first conductive type semiconductor layer; a gallium nitride-based, second conductive type semiconductor layer; an active layer interposed between the first conductive type semiconductor layer and the second conductive type semiconductor layer; and a transparent electrode being in contact with the second conductive type semiconductor layer, wherein the transparent electrode comprises a first electrode layer deposited by an electrode-beam evaporator, and a second electrode layer deposited by sputtering. The gallium nitride-based high-efficiency light emitting diode of the present invention can have high light transmittance and low sheet resistance.
(FR)La présente invention concerne une diode électroluminescente à haut rendement à base de nitrure de gallium et son procédé de fabrication, la diode électroluminescente à haut rendement à base de nitrure de gallium comprenant: un substrat; une couche semi-conductrice de premier type de conduction à base de nitrure de gallium; une couche semi-conductrice de second type de conduction à base de nitrure de gallium; une couche active interposée entre la couche semi-conductrice du premier type conducteur et la couche semi-conductrice du second type conducteur; et une électrode transparente en contact avec la couche semi-conductrice du second type conducteur, l'électrode transparente comprenant une première couche électrode déposée par un évaporateur à faisceau d'électrode, et une seconde couche électrode déposée par pulvérisation. La diode électroluminescente à haut rendement à base de nitrure de gallium de la présente invention peut présenter une transmittance de lumière élevée et une faible résistance de feuille.
(KO)본 발명은 기판; 질화갈륨 계열의 제 1 도전형 반도체층; 질화갈륨 계열의 제 2 도전형 반도체층; 및 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층; 상기 제 2 도전형 반도체층에 접촉되는 투명전극을 포함하며, 투명전극이 전자빔 증발법(electron-beam evaporator)으로 증착된 제 1 전극 층 및 스퍼터(sputter)로 증착된 제 2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 질화갈륨계 고효율 발광다이오드는 높은 광투과도와 낮은 면저항을 가질 수 있다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)