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1. (WO2017213333) PROCÉDÉ DE TRANSMISSION DE COURANT FORT UTILISANT UNE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ GÉNÉRALE
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N° de publication :    WO/2017/213333    N° de la demande internationale :    PCT/KR2017/003005
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 21.03.2017
CIB :
H05K 3/46 (2006.01), H05K 3/06 (2006.01), H05K 3/42 (2006.01)
Déposants : LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 128, Yeoui-daero, Yeongdeungpo-gu, Seoul 07336 (KR)
Inventeurs : LEE, Chang Hui; (KR).
KIM, Dong Hyun; (KR)
Mandataire : LEE, Kangmin; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0070347 07.06.2016 KR
Titre (EN) HIGH-CURRENT TRANSMISSION METHOD USING GENERAL PRINTED CIRCUIT BOARD
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSMISSION DE COURANT FORT UTILISANT UNE CARTE DE CIRCUIT IMPRIMÉ GÉNÉRALE
(KO) 일반 인쇄회로기판을 활용한 고전류 전송 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a structure and a method for filling a via hole formed in a multilayer printed circuit board and, more particularly, to a structure and a method for filling a via hole formed in a multilayer printed circuit board, wherein a via hole formed during a general multilayer printed circuit board manufacturing process is first filled with Cu and Au plating, and the remaining empty space is completely filled with a solder cream, so as to increase an amount of conductors to enable high-current transmission even in a narrow space.
(FR)La présente invention concerne une structure et un procédé de remplissage d'un trou d'interconnexion formé dans une carte de circuit imprimé (PCB) multicouche, et plus particulièrement une structure et un procédé de remplissage d'un trou d'interconnexion formé dans une carte de circuit imprimé multicouche dans lesquels un trou d'interconnexion formé pendant un processus de fabrication de carte de circuit imprimé multicouche générale est tout d'abord rempli d'un revêtement de cuivre (Cu) et d'or (Au), et l'espace vide restant est complètement rempli d'une crème à braser, de manière à augmenter une quantité de conducteurs pour permettre une transmission de courant fort même dans un espace étroit.
(KO)본 발명은 다층 인쇄회로기판에 형성된 비아 홀의 충전 구조 및 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 일반 다층 인쇄회로기판 제조 공정 시 형성된 비아 홀을 Cu, Au 도금으로 1차 충전하고, 나머지 빈 공간을 솔더크림으로 완전히 메움으로써 도체량을 증가시켜 좁은 공간에서도 고전류 전송이 가능하도록 하는 다층 인쇄회로기판에 형성된 비아 홀의 충전구조 및 방법에 관한 것이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)