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1. (WO2017213255) SOLUTION ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE CMP
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N° de publication :    WO/2017/213255    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/021482
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 09.06.2017
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2012.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 9-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006606 (JP)
Inventeurs : INOUE Keisuke; (JP).
KONDO Shunsuke; (JP).
OTSUKA Yuya; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; (JP).
SHIMIZU Yoshinori; (JP).
HIRANO Hiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-115567 09.06.2016 JP
Titre (EN) CMP POLISHING SOLUTION AND POLISHING METHOD
(FR) SOLUTION ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE CMP
(JA) CMP用研磨液及び研磨方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention is a CMP polishing solution for polishing a substrate including at least a barrier metal, a metal film, and a silicon dioxide film, or a substrate including at least a barrier metal, a metal film, a silicon dioxide film, and a low-κ film, wherein the solution contains polishing particles, a metal oxide dissolving agent, an oxidant, a water-soluble polymer, and alkali metal ions, the surface potential of the metal film and the polishing particles during polishing having the same sign, the product of the surface potential (mV) of the polishing particles and the surface potential (mV) of the metal film being 250-10000, and the pH of the solution being 7.0-11.0.
(FR)La présente invention est une solution de polissage CMP pour polir un substrat comprenant au moins une barrière métallique, une bande métallique, et une bande de dioxyde de silicium, ou un substrat comprenant au moins une barrière métallique, une bande métallique, une bande de dioxyde de silicium et une bande basse d'indice k, la solution contenant des particules de polissage, un agent de dissolution d'oxyde métallique, un oxydant, un polymère soluble dans l'eau, et des ions de métal alcalin, le potentiel de surface de la bande métallique et les particules de polissage pendant le polissage ayant le même signe, le produit du potentiel de surface (mV) des particules de polissage et le potentiel de surface (mV) de la bande métallique étant de 250 à 10 000, et le pH de la solution étant de 7,0-11,0.
(JA)本発明は、少なくともバリアメタル、金属膜及び二酸化珪素膜を含む基板、又は少なくともバリアメタル、金属膜、二酸化珪素膜及びlow-k膜を含む基板を研磨するためのCMP用研磨液であって、研磨粒子、酸化金属溶解剤、酸化剤、水溶性高分子及びアルカリ金属イオンを含有し、研磨時における研磨粒子及び金属膜の表面電位は同符号であり、研磨粒子の表面電位(mV)と金属膜の表面電位(mV)との積が250~10000であり、pHが7.0~11.0である、研磨液に関する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)