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1. (WO2017212977) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET ANALYSEUR SPECTROSCOPIQUE
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N° de publication : WO/2017/212977 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/020001
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 30.05.2017
CIB :
H01L 27/146 (2006.01) ,B23K 26/53 (2014.01) ,G01J 1/02 (2006.01) ,G01N 21/27 (2006.01) ,G01T 1/161 (2006.01) ,H01L 21/301 (2006.01) ,H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 31/0232 (2014.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
146
Structures de capteurs d'images
[IPC code unknown for B23K 26/53]
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
1
Photométrie, p.ex. posemètres photographiques
02
Parties constitutives
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
17
Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné
25
Couleur; Propriétés spectrales, c. à d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
27
en utilisant la détection photo-électrique
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
T
MESURE DES RADIATIONS NUCLÉAIRES OU DES RAYONS X
1
Mesure des rayons X, des rayons gamma, des radiations corpusculaires ou des radiations cosmiques
16
Mesure de l'intensité de radiation
161
Applications au domaine de la médecine nucléaire, p.ex. comptage in vivo
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
301
pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p.ex. cloisonnement en zones séparées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14
comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144
Dispositifs commandés par rayonnement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
02
Détails
0232
Eléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08
dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10
caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
Déposants :
雫石 誠 SHIZUKUISHI Makoto [JP/JP]; JP
Inventeurs :
雫石 誠 SHIZUKUISHI Makoto; JP
Données relatives à la priorité :
2016-11352507.06.2016JP
2017-07000931.03.2017JP
2017-10449426.05.2017JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND SPECTROSCOPIC ANALYZER
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET ANALYSEUR SPECTROSCOPIQUE
(JA) 光電変換素子とその製造方法、分光分析装置
Abrégé :
(EN) [Problem] To realize: a photoelectric conversion element that enables performing of high-sensitivity, high-precision, and high-speed spectroscopic analysis on a fluid, such as liquid and gas, and on other amorphous or fluidic objects to be analyzed when proximal imaging or spectroscopic analysis is performed on a human body or other three-dimensional subject; a production method therefor; and a compact and lightweight imaging device or spectroscopic analyzer having said photoelectric conversion element incorporated therein. [Solution] Provided are: a photoelectric conversion element that uses a lateral surface of a hollow part within a semiconductor substrate as a light-receiving surface; a production method in which a semiconductor substrate is irradiated with a laser beam to form a modified layer and to create a hollow part therein; and a compact spectroscopic analyzer that enables high-precision measurement of absorption and scattering of an X-ray or a near-infrared ray, etc. by a to-be-examined object located inside a hollow part, or of excited emission, etc. inside the to-be-examined object.
(FR) L’invention aborde le problème de réalisation : d’un élément de conversion photoélectrique qui permet la mise en œuvre d’une analyse spectroscopique à haute sensibilité, à haute précision et à grande vitesse sur un fluide, de type liquide ou gaz, et sur d’autres objets amorphes ou fluides à analyser lorsque l’analyse d’imagerie proximale ou spectroscopique est mise en œuvre sur un corps humain ou un autre sujet tridimensionnel ; de son procédé de production ; et d’un dispositif imageur ou d'un analyseur spectroscopique compact et léger dans lequel est incorporé ledit élément de conversion photoélectrique. La solution selon l’invention consiste : en un élément de conversion photoélectrique qui utilise une surface latérale d’une partie creuse dans un substrat semi-conducteur comme surface réceptrice de lumière ; en un procédé de production selon lequel un substrat semi-conducteur est irradié par un faisceau laser pour former une couche modifiée et pour créer une partie creuse dans le substrat ; et en un analyseur spectroscopique compact qui permet des mesures à haute précision d’absorption et de diffusion d’un rayon X ou d’un rayon infrarouge proche, etc. par un objet devant être examiné situé à l’intérieur d’une partie creuse, ou d’une émission excitée, etc. à l’intérieur de l’objet devant être examiné.
(JA) 【課題】人体その他の三次元形状の被写体に対し、近接して撮像或いは分光分析する場合、液体、気体などの流体、その他の不定形或いは流動性のある解析対象に対し、高感度、高精度、高速に分光分析が可能な光電変換素子とその製造方法、及び光電変換素子を組み込んだ小型、軽量の撮像装置又は分光分析装置を実現する。 【解決手段】半導体基板内の中空部側面を受光面とする光電変換素子、半導体基板にレーザー照射による改質層を形成し中空部を開口する製造方法、中空部内に位置する被検査対象物のX線、或いは近赤外光等の吸収、散乱、或いは被検査物質内の光励起発光等の高精度測定を可能にした小型分光分析装置。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)