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1. (WO2017212900) CONVERTISSEUR DE TENSION, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONVERTISSEUR DE TENSION, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/212900    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/018980
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 22.05.2017
CIB :
H02M 3/07 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KANDO, Hajime; (JP)
Mandataire : KAWAMOTO, Takashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-115090 09.06.2016 JP
Titre (EN) VOLTAGE CONVERTER, METHOD FOR MANUFACTURING VOLTAGE CONVERTER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CONVERTISSEUR DE TENSION, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONVERTISSEUR DE TENSION, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 電圧変換器、電圧変換器の製造方法および半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a voltage converter having a reduced size and a high conversion efficiency. The present invention is provided with a semiconductor substrate 1; a circuit layer 2, which is formed on the semiconductor substrate 1, and which includes a switch 3; a conductive porous material layer 6 formed on the circuit layer 2; a dielectric layer 7 formed on the conductive porous material layer 6; and a conductor layer 8 formed on the dielectric layer 7. A capacitor 5 is formed using the conductive porous material layer 6, the dielectric layer 7, and the conductor layer 8, and a voltage conversion circuit is configured using the switch 3 and the capacitor 5.
(FR)L’invention concerne un convertisseur de tension dont la taille est réduite et dont le rendement de conversion est élevé. La présente invention comporte un substrat semi-conducteur (1) ; une couche de circuit (2), laquelle est formée sur le substrat semi-conducteur (1), et inclut un commutateur (3) ; une couche de matériau poreux conducteur (6) formée sur la couche de circuit (2) ; une couche diélectrique (7) formée sur la couche de matériau poreux conducteur (6) ; et une couche conductrice (8) formée sur la couche diélectrique (7). Un condensateur (5) est formé au moyen de la couche de matériau poreux conducteur (6), de la couche diélectrique (7), et de la couche conductrice (8), et un circuit de conversion de tension est constitué au moyen du commutateur (3) et du condensateur (5).
(JA)小型化され、かつ、変換効率の高い電圧変換器を提供する。 半導体基板1と、半導体基板1上に形成されたスイッチ3を含む回路層2と、回路層2上に形成された導体多孔体層6と、導体多孔体層6上に形成された誘電体層7と、誘電体層7上に形成された導体層8と、を備え、導体多孔体層6と、誘電体層7と、導体層8とを用いてキャパシタ5が形成され、スイッチ3とキャパシタ5とを用いて電圧変換回路を構成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)