Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017212888) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/212888 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/018675
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 18.05.2017
CIB :
H01S 5/183 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
[IPC code unknown for H01S 5/183][IPC code unknown for H01L 31/10][IPC code unknown for H01S 5/042]
Déposants :
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
Inventeurs :
松原 一平 MATSUBARA, Ippei; JP
岩田 圭司 IWATA, Keiji; JP
鏑木 新治 KABURAKI, Shinji; JP
橋本 正太郎 HASHIMOTO, Shotaro; JP
鳥塚 哲郎 TORITSUKA, Tetsuro; JP
Mandataire :
特許業務法人深見特許事務所 FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; 大阪府大阪市北区中之島三丁目2番4号 中之島フェスティバルタワー・ウエスト Nakanoshima Festival Tower West, 2-4, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2016-11328907.06.2016JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abrégé :
(EN) A semiconductor device (10) is provided with an insulating layer (31) covering at least part of the side ends (6, 41, 42, 43) of a semiconductor multilayer film (5). The insulating layer (31) comprises an upper surface (61) and end surfaces (62). The upper surface (61) of the insulating layer (31) is connected to the upper surface of the semiconductor multilayer film (5) and extends along a substrate (11). The end surfaces (62A, 62B) of the insulating layer (31) are connected to the upper surface (61) of the insulating layer (31) and extend toward the substrate (11). At least a part of the end surfaces (62A, 62B) of the insulating layer is inclined with respect to the substrate (11). Metal wiring (32) provided on the insulating layer (31) passes along the upper surface (61) and the inclined end surface (62A) and connects a contact electrode (26) on the upper surface of the semiconductor multilayer film (5) with a bonding pad (33) formed on the substrate (11) with an insulating film (30) therebetween.
(FR) Le dispositif à semi-conducteurs (10) de l'invention est équipé d'une couche isolante (31) revêtant au moins partiellement des parties extrémité latérale (6, 41, 42, 43) d'un film stratifié semi-conducteur (5). La couche isolante (31) possède une face supérieure (61) et une face extrémité (62). La face supérieure (61) de la couche isolante (31) est connectée à une face supérieure du film stratifié semi-conducteur (5), et se prolonge le long d'un substrat (11). Des faces extrémités (62A, 62B) de la couche isolante (31) sont connectées à la face supérieure du film stratifié semi-conducteur (5), et se prolongent vers le substrat (11). Ces faces extrémité (62A, 62B) de la couche isolante (31) sont inclinées par rapport au substrat (11) dans au moins une partie. Un câblage métallique (32) est agencé sur la couche isolante (31), passe par la face supérieure (61) et par la face extrémité (62A) inclinée, et connecte une électrode de contact (26) de la face supérieure du film stratifié semi-conducteur (5), et un plot de connexion (33) formé sur le substrat (11) avec un film isolant (30) pour intermédiaire.
(JA) 半導体装置(10)は、半導体積層膜(5)の側端部(6;41,42,43)の少なくとも一部を覆う絶縁層(31)を備える。ここで、絶縁層(31)は、上面(61)および端面(62)を有する。絶縁層(31)の上面(61)は、半導体積層膜(5)の上面に接続し基板(11)に沿って延在する。絶縁層(31)の端面(62A,62B)は、絶縁層(31)の上面(61)に接続し基板(11)に向かって延在する。絶縁層(31)の端面(62A,62B)は、少なくとも一部において基板(11)に対して傾斜している。金属配線(32)は、絶縁層(31)上に設けられ、上面(61)と傾斜した端面(62A)とを通って、半導体積層膜(5)の上面のコンタクト電極(26)と基板(11)上に絶縁膜(30)を介在して形成されたボンディングパッド(33)とを接続する。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)