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1. (WO2017212766) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT EN ULTRAVIOLET PROFOND
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/212766    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/014239
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 05.04.2017
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.02.2018    
CIB :
H01L 33/22 (2010.01)
Déposants : NIKKISO CO., LTD. [JP/JP]; 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1506022 (JP)
Inventeurs : INAZU Tetsuhiko; (JP).
PERNOT Cyril; (JP).
ISHIGURO Hisanori; (JP)
Mandataire : MORISHITA Sakaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-113017 06.06.2016 JP
Titre (EN) DEEP UV LIGHT EMITTING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT EN ULTRAVIOLET PROFOND
(JA) 深紫外発光素子
Abrégé : front page image
(EN)A deep UV light emitting element 10 is provided with: a substrate 12 having a first main surface 12a, and a second main surface 12b on the opposite side from the first main surface 12a; an active layer 20 provided on the first main surface 12a of the substrate 12, the active layer 20 emitting deep UV light; and a light extraction layer 40 provided on the second main surface 12b of the substrate 12, the light extraction layer 40 being formed of a material having a refractive index in relation to the deep UV emitted by the active layer 20 that is higher than that of the substrate 12, and lower than that of the active layer 20. The light extraction layer 40 may be an aluminum gallium nitride (AlGaN) semiconductor material layer, or an aluminum nitride (AlN) layer.
(FR)L'invention porte sur un élément électroluminescent en ultraviolet (UV) profond (10) comportant : un substrat (12) présentant une première surface principale (12a) et une seconde surface principale (12b) du côté opposé à la première surface principale (12a) ; une couche active (20) disposée sur la première surface principale (12a) du substrat (12), la couche active (20) émettant un rayonnement UV profond ; et une couche d'extraction de lumière (40) disposée sur la seconde surface principale (12b) du substrat (12), la couche d'extraction de lumière (40) étant formée d'un matériau présentant un indice de réfraction, dans l'UV profond émis par la couche active (20), qui est supérieur à celui du substrat (12) et inférieur à celui de la couche active (20). La couche d'extraction de lumière (40) peut être une couche de matériau semi-conducteur au nitrure d'aluminium-gallium (AlGaN), ou une couche de nitrure d'aluminium (AlN).
(JA)深紫外深紫外発光素子10は、第1主面12aと、第1主面12aの反対側の第2主面12bとを有する基板12と、基板12の第1主面12a上に設けられ、深紫外光を発する活性層20と、基板12の第2主面12b上に設けられ、活性層20が発する深紫外光に対する屈折率が基板12より高く、活性層20より低い材料で形成される光取出層40と、を備える。光取出層40は、窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)系半導体材料層または窒化アルミニウム(AlN)層であってよい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)