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1. (WO2017212728) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/212728    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/010219
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 14.03.2017
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 15-12, Nishishimbashi 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058039 (JP)
Inventeurs : NAGATO, Masaya; (JP).
SONE, Shin; (JP).
KAMEDA, Kenji; (JP).
TSUNEDA, Masayuki; (JP).
TERASAKI, Masato; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-116528 10.06.2016 JP
Titre (EN) TREATMENT METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SUBSTRATE TREATMENT APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 処理方法、半導体装置の製造方法及び基板処理装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a technology having: a step for treating, in a treatment chamber, a substrate at a first temperature, said substrate being held in a substrate holding region of a substrate holding unit that has a heat insulating region on one end side, and the substrate holding region on the other end side; a first cleaning step for supplying, at a second temperature, the heat insulating region with a cleaning gas after carrying out the substrate, said second temperature being lower than the first temperature but higher than the room temperature; and a second cleaning step for supplying, at a third temperature, the substrate holding region with a cleaning gas after carrying out the substrate, said third temperature being lower than the second temperature.
(FR)L'invention concerne une technologie comprenant : une étape de traitement, dans une chambre de traitement, d'un substrat à une première température, ledit substrat étant maintenu dans une région de support de substrat d'une unité de support de substrat qui a une région calorifuge sur un côté d'extrémité, et la région de support de substrat sur l'autre côté d'extrémité ; une première étape de nettoyage permettant de fournir, à une deuxième température, à la région calorifuge un gaz de nettoyage après réalisation du substrat, ladite deuxième température étant inférieure à la première température mais supérieure à la température ambiante ; et une seconde étape de nettoyage permettant de fournir, à une troisième température, à la région de support de substrat un gaz de nettoyage après réalisation du substrat, ladite troisième température étant inférieure à la deuxième température.
(JA)処理室内で、一端側に断熱領域を有し他端側に基板保持領域を有する基板保持部の基板保持領域に保持された基板を第1の温度で処理する工程と、基板を搬出した後、第1の温度よりも低く、室温よりも高い第2の温度で断熱領域にクリーニングガスを供給する第1クリーニング工程と、基板を搬出した後、第2の温度よりも低い第3の温度で基板保持領域にクリーニングガスを供給する第2クリーニング工程と、を有する技術が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)