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1. (WO2017212728) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT

Pub. No.:    WO/2017/212728    International Application No.:    PCT/JP2017/010219
Publication Date: Fri Dec 15 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Wed Mar 15 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 21/31
C23C 16/44
H01L 21/316
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: NAGATO, Masaya
永戸 雅也
SONE, Shin
曽根 新
KAMEDA, Kenji
亀田 賢治
TSUNEDA, Masayuki
経田 昌幸
TERASAKI, Masato
寺崎 昌人
Title: PROCÉDÉ DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
Abstract:
L'invention concerne une technologie comprenant : une étape de traitement, dans une chambre de traitement, d'un substrat à une première température, ledit substrat étant maintenu dans une région de support de substrat d'une unité de support de substrat qui a une région calorifuge sur un côté d'extrémité, et la région de support de substrat sur l'autre côté d'extrémité; une première étape de nettoyage permettant de fournir, à une deuxième température, à la région calorifuge un gaz de nettoyage après réalisation du substrat, ladite deuxième température étant inférieure à la première température mais supérieure à la température ambiante; et une seconde étape de nettoyage permettant de fournir, à une troisième température, à la région de support de substrat un gaz de nettoyage après réalisation du substrat, ladite troisième température étant inférieure à la deuxième température.