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1. (WO2017212644) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
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N° de publication :    WO/2017/212644    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/067384
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 10.06.2016
CIB :
H01L 21/822 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : SOCIONEXT INC. [JP/JP]; 2-10-23 Shin-Yokohama, Kohoku-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2220033 (JP)
Inventeurs : OKUBO, Kazuya; (JP)
Mandataire : KOKUBUN, Takayoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)First diodes (DA), i.e., gate diodes, are arrayed in the lateral direction, and each of the first diodes is configured by having a gate electrode (25), and a p-type region (22a) and an n-type region (19a), which are on both the sides of the gate electrode. Second diodes (DB), i.e., STI diodes, are arrayed in the longitudinal direction, and each of the STI diodes is configured by having a p-type region (22a), an n-type region (19a), and an STI element isolation structure (15) between the regions. With such configurations, while achieving low resistance and occupancy area reduction of the ESD protection diode, electrostatic breakdown can be reliably eliminated even if a large surge current is generated.
(FR)Selon l'invention, des premières diodes (DA), c'est-à-dire des diodes de grille, sont alignées dans la direction latérale, et chacune des premières diodes est configurée en comprenant une électrode de grille (25), et une zone du type p (22a) et une zone du type n (19a) situées des deux côtés de l'électrode de grille. Des secondes diodes (DB), c'est-à-dire des diodes STI, sont alignées dans la direction longitudinale, et chacune des diodes STI est configurée en comprenant une zone du type p (22a), une zone du type n (19a), et une structure d'isolation d'élément STI (15) entre les zones. Avec de telles configurations, tout en réalisant une faible résistance et une réduction de l'aire d'occupation de la diode de protection ESD, un claquage électrostatique peut être éliminé de manière fiable même si un fort courant de pointe est généré.
(JA)ゲート型ダイオードである第1のダイオード(D)は、横方向に配列しており、ゲート電極(25)とその両側のp型領域(22a)及びn型領域(19a)とを有して構成される。STI型ダイオードである第2のダイオード(D)は、縦方向に配列しており、p型領域(22a)及びn型領域(19a)と、これらの間のSTI素子分離構造(15)とを有して構成される。この構成により、ESD保護ダイオードの低抵抗化及び占有面積の低減を図るも、大きなサージ電流が生じても静電破壊を確実に防止することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)