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1. (WO2017212622) CIRCUIT ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/212622 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/067299
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 10.06.2016
CIB :
H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/088 (2006.01) ,H02M 1/08 (2006.01) ,H03F 3/34 (2006.01) ,H03K 19/0185 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
06
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
08
comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
085
comprenant uniquement des composants à effet de champ
088
les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
M
APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALIMENTATION SIMILAIRES; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION
1
Détails d'appareils pour transformation
08
Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
F
AMPLIFICATEURS
3
Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
34
Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu
H ÉLECTRICITÉ
03
CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
K
TECHNIQUE DE L'IMPULSION
19
Circuits logiques, c. à d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortie; Circuits d'inversion
0175
Dispositions pour le couplage; Dispositions pour l'interface
0185
utilisant uniquement des transistors à effet de champ
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
吉野 学 YOSHINO Manabu; JP
Mandataire :
吉竹 英俊 YOSHITAKE Hidetoshi; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) CIRCUIT ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体回路及び半導体装置
Abrégé :
(EN) The purpose of the present invention is to provide a technique that makes it possible to achieve high voltage resistance in a semiconductor device. The semiconductor circuit includes a first resistance, a second resistance and a third resistance, a MOSFET, and an inverter. The first resistance, second resistance and third resistance are connected in series between a power supply and a ground, which corresponds to the reference voltage of the low-side circuit. The MOSFET is connected in parallel to the third resistance, between the second resistance and the ground, and the gate of the MOSFET is electrically connected to the low-side circuit. The inverter is electrically connected between the high-side circuit and the connection point between the first resistance and the second resistance.
(FR) La présente invention vise à fournir une technique qui permet d'obtenir une résistance élevée à la tension dans un dispositif semi-conducteur. Le circuit semi-conducteur est pourvu de première, deuxième et troisième résistances, d'un transistor MOS et d'un onduleur. Les première, deuxième et troisième résistances sont connectées en série entre une alimentation électrique et une masse qui correspond à la tension de référence du circuit côté bas. Le transistor MOS est connecté en parallèle à la troisième résistance, entre la deuxième résistance et la masse, et la grille du transistor MOS est connectée électriquement au circuit côté bas. L'onduleur est connecté électriquement entre le circuit côté haut et le point de connexion entre les première et deuxième résistances.
(JA) 半導体装置の高耐圧化が可能な技術を提供することを目的とする。半導体回路は、第1抵抗、第2抵抗及び第3抵抗と、MOSFETと、インバータとを含む。第1抵抗、第2抵抗及び第3抵抗は、電源と、ローサイド回路の基準電圧に対応するグランドとの間に直列接続される。MOSFETは、第2抵抗とグランドとの間に第3抵抗と並列接続されるとともに、そのゲートがローサイド回路と電気的に接続される。インバータは、第1抵抗と第2抵抗との間の接続点と、ハイサイド回路との間に電気的に接続される。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)