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1. (WO2017212578) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication :    WO/2017/212578    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/067080
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 08.06.2016
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : SUZUKI, Sho; (JP).
OSAGA, Tsuyoshi; (JP)
Mandataire : TAKADA, Mamoru; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR APPARATUS
(FR) APPAREIL À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)According to the present invention, a semiconductor substrate (1) has a front surface and a back surface that are opposed to each other. A first metal layer (2) is formed on the front surface of the semiconductor substrate (1). A second metal layer (3) for solder joining is formed on the first metal layer (2). A third metal layer (5) is formed on the back surface of the semiconductor substrate (1). A fourth metal layer (6) for solder joining is formed on the third metal layer (5). The thickness of the second metal layer (3) is greater than that of the fourth metal layer (6). The first, third, and fourth metal layers (2, 5, and 6) are not pattern-divided. The second metal layer (3) is pattern-divided, and includes a plurality of metal layers that are electrically coupled to each other via the first metal layer (2).
(FR)Selon la présente invention, un substrat semi-conducteur (1) a une surface avant et une surface arrière qui sont opposées l'une à l'autre. Une première couche métallique (2) est formée sur la surface avant du substrat semi-conducteur (1). Une deuxième couche métallique (3) destinée à l'assemblage par brasure tendre est formée sur la première couche métallique (2). Une troisième couche métallique (5) est formée sur la surface arrière du substrat semi-conducteur (1). Une quatrième couche métallique (6) destinée à l'assemblage par brasure tendre est formée sur la troisième couche métallique (5). L'épaisseur de la deuxième couche métallique (3) est supérieure à celle de la quatrième couche métallique (6). Les première, troisième et quatrième couches métalliques (2, 5 et 6) ne sont pas divisées en motifs. La deuxième couche métallique (3) est divisée en motifs et comprend une pluralité de couches métalliques qui sont couplées électriquement les unes aux autres par l'intermédiaire de la première couche métallique (2).
(JA) 半導体基板(1)は互いに対向する表面及び裏面を有する。第1の金属層(2)が半導体基板(1)の表面に形成されている。はんだ接合用の第2の金属層(3)が第1の金属層(2)上に形成されている。第3の金属層(5)が半導体基板1の裏面に形成されている。はんだ接合用の第4の金属層(6)が第3の金属層(5)上に形成されている。第2の金属層(3)の厚みは第4の金属層(6)の厚みより厚い。第1、第3及び第4の金属層(2,5,6)はパターン分割されていない。第2の金属層(3)は、パターン分割され、第1の金属層(2)を介して互いに電気的に接続された複数の金属層を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)