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1. (WO2017212546) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PORTION D'OUVERTURE DE FOUR, PROCÉDÉ ET PROGRAMME DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR

Pub. No.:    WO/2017/212546    International Application No.:    PCT/JP2016/066915
Publication Date: Fri Dec 15 00:59:59 CET 2017 International Filing Date: Wed Jun 08 01:59:59 CEST 2016
IPC: H01L 21/31
C23C 16/44
H01L 21/318
Applicants: KOKUSAI ELECTRIC CORPORATION
株式会社KOKUSAI ELECTRIC
Inventors: OHNO, Mikio
大野 幹雄
UMEKAWA, Atsushi
梅川 純史
HANASHIMA, Takeo
花島 建夫
HIRAMATSU, Hiroaki
平松 宏朗
Title: DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PORTION D'OUVERTURE DE FOUR, PROCÉDÉ ET PROGRAMME DE PRODUCTION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract:
L'invention concerne une configuration comprenant : une chambre de traitement configurée à partir d'au moins un tube de réaction et d'une portion d'ouverture de four disposée dans la partie inférieure du tube de réaction; une buse disposée au niveau de la portion d'ouverture du four et s'élevant de la portion d'ouverture du four à l'intérieur du tube de réaction; un système d'alimentation en gaz disposé sur le côté amont de la buse; une unité d'arrêt configurée de manière à être disposée à la limite entre le système d'alimentation en gaz et la buse; et une unité de commande commandant chaque élément du système d'alimentation en gaz et de l'unité d'arrêt de manière à coordonner l'unité d'arrêt avec le système d'alimentation en gaz et à fournir du gaz de la buse à l'intérieur de la chambre de traitement.