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1. (WO2017212363) APPAREIL DE PULVÉRISATION, CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR AVEC L'APPAREIL DE PULVÉRISATION
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N° de publication : WO/2017/212363 N° de la demande internationale : PCT/IB2017/053076
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 25.05.2017
CIB :
H01L 21/363 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
363
en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
34
Pulvérisation cathodique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants :
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Inventeurs :
WATANABE, Masahiro; JP
HANDA, Takuya; --
HOSAKA, Yasuharu; --
OKAZAKI, Kenichi; JP
YAMAZAKI, Shunpei; JP
Données relatives à la priorité :
2016-11302306.06.2016JP
2017-01882503.02.2017JP
Titre (EN) SPUTTERING APPARATUS, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR FILM WITH THE SPUTTERING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION, CIBLE DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM SEMI-CONDUCTEUR AVEC L'APPAREIL DE PULVÉRISATION
Abrégé :
(EN) To provide a sputtering apparatus capable of forming a semiconductor film in which impurities such as hydrogen or water are reduced. The sputtering apparatus is capable of forming a semiconductor film and includes a deposition chamber, a gas supply device connected to the deposition chamber, a gas refining device connected to the gas supply device, a vacuum pump for evacuating the deposition chamber, a target disposed in the deposition chamber, and a cathode disposed to face the target. The gas supply device is configured to supply at least one of an argon gas, an oxygen gas, and a nitrogen gas. The partial pressure of hydrogen molecules is lower than or equal to 0.01 Pa and the partial pressure of water molecules is lower than or equal to 0.0001 Pa in the deposition chamber.
(FR) L'invention concerne un appareil de pulvérisation capable de former un film semi-conducteur dans lequel des impuretés telles que l'hydrogène ou l'eau sont en quantité réduite. L'appareil de pulvérisation est capable de former un film semi-conducteur et comprend une chambre de dépôt, un dispositif d'alimentation en gaz raccordé à la chambre de dépôt, un dispositif de raffinage de gaz relié au dispositif d'alimentation en gaz, une pompe à vide permettant de vider la chambre de dépôt, une cible disposée dans la chambre de dépôt, et une cathode disposée pour faire face à la cible. Le dispositif d'alimentation en gaz est conçu pour fournir au moins un composant gazeux parmi l'argon, l'oxygène et l'azote. La pression partielle des molécules d'hydrogène est inférieure ou égale à 0,01 Pa et la pression partielle des molécules d'eau est inférieure ou égale à 0,0001 Pa dans la chambre de dépôt.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)