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1. (WO2017212160) STRUCTURE POUR APPLICATIONS RADIOFREQUENCES
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N° de publication :    WO/2017/212160    N° de la demande internationale :    PCT/FR2017/051418
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 06.06.2017
CIB :
H01L 21/84 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SOITEC [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques 38190 BERNIN (FR)
Inventeurs : DESBONNETS, Eric; (FR).
RADU, Ionut; (FR).
KONONCHUK, Oleg; (FR).
RASKIN, Jean-Pierre; (BE)
Mandataire : BREESE, Pierre; (FR)
Données relatives à la priorité :
1655266 08.06.2016 FR
Titre (EN) STRUCTURE FOR RADIOFREQUENCY APPLICATIONS
(FR) STRUCTURE POUR APPLICATIONS RADIOFREQUENCES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a substrate (100) for radiofrequency microelectronic devices comprising: • a carrier substrate (10) made of a semiconductor first material (10') of resistivity higher than 500 ohm.cm, • a plurality of trenches in the carrier substrate (10), which trenches are filled with a second material (20), and defining on a first side (1) of the carrier substrate (10), a plurality of first zones (11) made of first material (10') and at least one second zone (21) made of second material (20); the substrate is noteworthy in that: • the second material (20) has a resistivity higher than 10 kohms.cm; • the first zones (11) have a maximum dimension smaller than 10 microns and are insulated from one another by the second zone (21).
(FR)L'invention concerne un substrat (100) pour des dispositifs microélectroniques radiofréquences comprenant : • un substrat support (10) en un premier matériau (10') semi-conducteur de résistivité supérieure à 500 ohm.cm, • une pluralité de tranchées dans le substrat support (10), remplies d'un deuxième matériau (20), et définissant sur une première face (1) du substrat support (10), une pluralité de premières zones (11) en premier matériau (10') et au moins une deuxième zone (21) en deuxième matériau (20); Le substrat est remarquable en ce que : • le deuxième matériau (20) présente une résistivité supérieure à 10kohms.cm; • les premières zones (11) présentent une dimension maximale inférieure à 10 microns et sont isolées les unes des autres par la deuxième zone (21).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)