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1. (WO2017212075) CAPTEURS D'IMAGE CMOS PRÉSENTANT UNE CONSOMMATION D'ÉNERGIE RÉDUITE
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N° de publication :    WO/2017/212075    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/064326
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 12.06.2017
CIB :
H04N 5/378 (2011.01)
Déposants : ANALOG DEVICES GLOBAL [IE/IE]; 3rd Floor Par La Ville Place 14 Par La Ville Road Hamilton (BM)
Inventeurs : HURWITZ, Jonathan Ephraim David; (GB).
DECKER, Steven J.; (US).
GUTHRIE, Edward; (US).
CANNIFF, Daniel Peter; (US)
Mandataire : WITHERS & ROGERS LLP; 4 More London More London Riverside London Greater London SE1 2AU (GB)
Données relatives à la priorité :
62/348,800 10.06.2016 US
Titre (EN) CMOS IMAGE SENSORS WITH REDUCED POWER CONSUMPTION
(FR) CAPTEURS D'IMAGE CMOS PRÉSENTANT UNE CONSOMMATION D'ÉNERGIE RÉDUITE
Abrégé : front page image
(EN)Various embodiments of the present disclosure relate to the field of image sensors, in particular to complementary metal oxide semiconductor (CMOS) imager sensors having reduced power consumption. One exemplary CMOS image sensor includes an array of pixel cells arranged in a plurality of rows and columns, where each of at least some columns are driven with two or more column lines, each column line configured to read out voltages on a respective sub-set of pixels. Other exemplary CMOS image sensors include a bias current source which may be time multiplexed between multiple column lines, where the multiple column lines may be associated either with the same or different columns.
(FR)Selon divers modes de réalisation, l'invention se rapporte au domaine des capteurs d'image, en particulier à des capteurs d'image à semi-conducteur à oxyde de métal complémentaire (CMOS) qui présentent une consommation d'énergie réduite. Un capteur d'image CMOS donné à titre d'exemple comprend un réseau de cellules de pixel disposé sous la forme d'une pluralité de rangées et de colonnes, chaque colonne parmi au moins certaines colonnes étant pilotée par au minimum deux lignes de colonne, chaque ligne de colonne étant conçue pour lire des tensions sur un sous-ensemble de pixels respectif. D'autres capteurs d'image CMOS donnés à titre d'exemple incluent une source de courant de polarisation qui peut être multiplexée dans le temps entre plusieurs lignes de colonne, les diverses lignes de colonne pouvant être associées soit à la même colonne, soit à des colonnes différentes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)