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1. (WO2017211654) PROCÉDÉ DE LIAISON EUTECTIQUE DE PLAQUETTES ET ENSEMBLE DE PLAQUETTES
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N° de publication :    WO/2017/211654    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/063220
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 31.05.2017
CIB :
B81C 3/00 (2006.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Inventeurs : SCHMITZ, Volker; (DE).
GROSSE, Axel; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 210 007.6 07.06.2016 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUM EUTEKTISCHEN BONDEN VON WAFERN UND WAFERVERBUND
(EN) METHOD FOR EUTECTIC BONDING OF WAFERS, AND A WAFER BOND
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON EUTECTIQUE DE PLAQUETTES ET ENSEMBLE DE PLAQUETTES
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum eutektischen Bonden von Wafern mit den Schritten: (a) Bereitstellen eines ersten Wafers (10) mit einer ersten Bondschicht (310) und eines zweiten Wafers (20) mit einer zweiten Bondschicht (320) sowie einem Abstandshalter (400) (b) Aneinanderlegen des ersten Wafers (10) an den zweiten Wafer (20), wobei der Abstandshalter (400) an der ersten Bondschicht (310) anliegt. (c) Aneinanderpressen des ersten Wafers (10) und des zweiten Wafers (20) bis zum Anliegen der ersten Bondschicht (310) an der zweiten Bondschicht (320), wobei der Abstandshalter (400) in die erste Bondschicht (310) eindringt. (d) Eutektisches Bonden des ersten Wafers (10) mit dem zweiten Wafer (20) durch Bilden einer eutektischen Legierung wenigstens aus Teilen der ersten Bondschicht (310) und der zweiten Bondschicht (320). Die Erfindung betrifft auch einen eutektisch gebondeten Waferverbund und eine mikromechanische Vorrichtung aufweisend einen solchen eutektisch gebondeten Waferverbund.
(EN)The invention relates to a method for eutectic bonding of wafers comprising the steps: (a) providing a first wafer (10) comprising a first bonding layer (310), a second wafer (20) comprising a second bonding layer (320) and a spacer (400), (b) placing together the first wafer (10) and the second wafer (20), the spacer (400) lying on the first bonding layer (310). (c) pressing together the first wafer (10) and the second wafer (20) until the first bonding layer (310) lies against the second bonding layer (320), the spacer (400) penetrating the first bonding layer (310). (d) eutectic bonding of the first wafer (10) to the second wafer (20) by the formation of a eutectic alloy at least from portions of the first bonding layer (310) and the second bonding layer (320). The invention also relates to a eutectic bonded wafer bond and to a micromechanical device having a eutectic bonded wafer bond of this type.
(FR)L’invention concerne un procédé de liaison eutectique de plaquettes, comprenant les étapes suivantes : (a) la préparation d’une première plaquette (10) comprenant une première couche de liaison (310) et d’une seconde plaquette (20) comportant une seconde couche de liaison (320) ainsi qu’un espaceur (400) ; (b) la mise en contact de la première plaquette (10) contre la seconde plaquette (20), l’espaceur (400) étant en contact avec la première couche de liaison (310) ; (c) la compression de la première plaquette (10) et de la seconde plaquette (20) l’une contre l’autre jusqu’à ce que la première couche de liaison (310) soit en contact contre la seconde couche de liaison (320), l’espaceur (400) pénétrant dans le première couche de liaison (310) ; (d) la liaison eutectique de la première plaquette (10) à la seconde plaquette (20) en formant un alliage eutectique à partir d’au moins des parties de la première couche de liaison (310) et de la seconde couche de liaison (320). L’invention concerne également un ensemble de plaquettes produit par liaison eutectique et un dispositif micro-mécanique présentant ledit ensemble de plaquettes produit par liaison eutectique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)