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1. (WO2017211629) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE DE CELLULE SOLAIRE
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N° de publication :    WO/2017/211629    N° de la demande internationale :    PCT/EP2017/063088
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 31.05.2017
CIB :
H01L 31/0352 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : INGENIEURBÜRO FÜR THERMISCHE PROZESSE DR. ERFURT [DE/DE]; Aschegasse 6 09599 Freiberg (DE)
Inventeurs : ERFURT, Gunter; (DE).
KRAUSE, Andreas; (DE)
Mandataire : HARRISON, Robert; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2016 110 464.7 07.06.2016 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLENSTRUKTUR
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE DE CELLULE SOLAIRE
Abrégé : front page image
(DE)Ein Verfahren zur Herstellung einer Solarzellenstruktur (100) wird bereitgestellt, wobei das Verfahren die Verfahrensschritte umfasst: Bereitstellen eines Kernleiters (10); Beschichten des Kernleiters (10) durch Eintauchen des Kernleiters (10) in eine Silizium-Quelle und Erwärmen der Silizium-Quelleoberhalb der eutektischen Temperatur; und Auslagern der Beschichtung des Kernleiters (10) bei einer Temperatur unterhalb der eutektischen Temperatur bei welcher Siliziumausgeschieden wird.
(EN)The invention relates to a method for producing a solar cell structure (100), wherein the method comprises the following steps: providing a core conductor (10); coating the core conductor (10) by immersing the core conductor (10) in a silicon source and heating the silicon source above the eutectic temperature; and aging the coating of the core conductor (10) at a temperature below the eutectic temperature at which silicon is precipitated.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d’une structure de cellule solaire (100), ce procédé consistant à : prendre un conducteur à âme centrale (10) ; appliquer un revêtement sur ce conducteur à âme centrale (10) par immersion dans une source de silicium et chauffage de la source de silicium à une température supérieure à la température eutectique ; et durcir par précipitation le revêtement du conducteur à âme centrale (10) à une température inférieure à la température eutectique à laquelle le silicium est précipité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)