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1. (WO2017211176) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET ÉCRAN D'AFFICHAGE
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N° de publication : WO/2017/211176 N° de la demande internationale : PCT/CN2017/085482
Date de publication : 14.12.2017 Date de dépôt international : 23.05.2017
CIB :
H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
786
Transistors à couche mince
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD.[CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Rd., Chaoyang District Beijing 100015, CN
BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; No.118 Jinghaiyilu, BDA Beijing 100176, CN
Inventeurs : QU, Lianjie; CN
SHI, Guangdong; CN
LIU, Shuai; CN
CHEN, Minqi; CN
LIU, Tao; CN
Mandataire : ZHONGZI LAW OFFICE; 7F, New Era Building 26 Pinganli Xidajie, Xicheng District Beijing 100034, CN
Données relatives à la priorité :
201610394974.106.06.2016CN
Titre (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, ARRAY SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY PANEL
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT MATRICIEL ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET ÉCRAN D'AFFICHAGE
(ZH) 场效应晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法以及显示面板
Abrégé :
(EN) Provided are a field-effect transistor and a manufacturing method thereof, an array substrate and a manufacturing method thereof, and a display panel. The manufacturing method of a field-effect transistor comprises: forming an active layer (2) at a substrate (1); forming a gate insulating layer (3) at the active layer to define a gate region, a source region and a drain region, the source region and the drain region being located at two sides of the gate region; applying a gate layer (4) to cover surfaces of the active layer and the gate insulating layer; patterning the gate layer to form a first contact electrode (41), a second contact electrode (42) and a gate electrode (40), wherein the first contact electrode is located at the source region, the second contact electrode is located at the drain region, and the gate electrode is located at the gate insulating layer.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ et son procédé de fabrication, un substrat matriciel et son procédé de fabrication, et un écran d'affichage. Le procédé de fabrication du transistor à effet de champ consiste : à former une couche active (2) sur un substrat (1) ; à former une couche d'isolation de grille (3) au niveau de la couche active pour délimiter une zone de grille, une zone de source et une zone de drain, la zone de source et la zone de drain étant situées de part et d'autre de la zone de grille ; à appliquer une couche de grille (4) pour couvrir les surfaces de la couche active et de la couche d'isolation de grille ; à former des motifs sur la couche de grille pour former une première électrode de contact (41), une seconde électrode de contact (42) et une électrode de grille (40), la première électrode de contact étant située au niveau de la zone de source, la seconde électrode de contact étant située au niveau de la zone de drain, et l'électrode de grille étant située au niveau de la couche d'isolation de grille.
(ZH) 一种场效应晶体管及其制造方法、阵列基板及其制造方法以及显示面板。该场效应晶体管的制造方法包括:在衬底(1)上形成有源层(2);在有源层上形成栅极绝缘层(3)以限定栅极区域、位于栅极区域两侧的源极区域和漏极区域;施加栅极层(4),以覆盖有源层和栅极绝缘层的表面;对栅极层进行构图,以形成第一接触电极(41)、第二接触电极(42)和栅极电极(40),其中第一接触电极位于源极区域上,第二接触电极位于漏极区域上,栅极电极位于栅极绝缘层上。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)